模拟电子技术 CH4-5 放大电路的频率响应.ppt

中频区(即通常内)源电压增益 则 下限频率取决于 当 令 下限频率取决于 当 时， 相频响应 ? ＝－180 ? ＋arctan(fL1/f) 幅频响应 低频特性与RC一阶高通电路相似 + 中频区 低频区 高频区 分三个区域： ①中频区：中间平坦部分 AV = AVM ，Φ =－180° ②低频区：由于 Cb1、Cb2、Ce 的影响， AV ↓，Φ 超前中频相位。 ③高频区：由于极间电容的影响， AV ↓，Φ 滞后于中频相位。 工程上规定： AV ↓至 所对应的频率，分别称为 下限频率 fL 上限频率 fH 3dB点 0 通频带：BW = fH – fL 又称带宽。 4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应 内容自学 * * ⑴假定Cb1、Cb2、Ce足够大， ?(f) 又不是太小 ——视为交流短路； ⑵认为极间电容非常小， ?(f) 又不是太大 ——视为交流开路； Av = – rbe ? ( RC‖RL ) 与?无关 是建立在两点假定基础上 这两点假设确定f在中频段 耦合电容 Ce 旁路电容 Cbc Cbe 极间电容 Rb vi Rc RL 4.7 放大电路的频率响应 当f很低时， Cb1、Cb2、Ce的容抗很大，不能再视为短路， ——即它们对放大器的低频特性有影响； 当f很高时， Cbe、Cbc的容抗很小，不能再视为开路， ——即它们对放大器的高频特性有影响； 极间电容 耦合电容 Ce 旁路电容 Cbc Cbe 由于放大电路中有电抗性元件（包括极间电容、耦合电容、旁路电容等） 对于不同 的f 或ω 阻抗不同 放大器对于不同f 信号的 AV · 不同 放大电路的电压增益随输入正弦信号频率变化的响应 ——放大电路的频率响应 ——亦是放大电路的重要指标！ 或 —— 幅频响应 —— 相频响应 我们要用幅频响应曲线及相频响应曲线来研究放大电路的低频及高频响应。 4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 一阶RC电路 RC低通电路 RC高通电路 可用来模拟放大电路高频段的频率响应 可用来模拟放大电路低频段的频率响应 RC电路的电压增益（传递函数）： 则 且令 又 电压增益的幅值（模） （幅频响应） 电压增益的相角 （相频响应） 1. RC低通电路的频率响应 RC低通电路 最大误差发生在fH 处最大误差为3dB 幅频响应 0分贝水平线 斜率为 -20dB/十倍频程 的直线,与0dB线相交于f = fH 处。 fH为转折频率、上限频率 相频响应 f ? 0.1 fH f ? 10 fH ?H→ -90° 2、RC高通电路的频率响应： RC 高通电路的电压增益： ——转折频率 下限频率 则 AVL= 1 1 – j ( fL / f ) · RC高通电路 幅频响应 相频响应 20分贝/十倍频程 -45°/十倍频程 AVL= 1 1 – j ( fL / f ) · 1. BJT的高频小信号模型 ①模型的引出 前面给出BJT H参数小信号模型。在高频区，极间电容不可忽略。 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 rbe ——发射结电阻re归算到基极回路的电阻 Cbe ——发射结电容 rbc ——集电结电阻 Cbc ——集电结电容 rbb ——基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点 BJT的高频小信号模型 由于结电容的影响，Ic与Ib不呈正比关系， · · ?与?有关 · 用gmVbe来表示受控电流源 gm 与?无关 BJT的高频小信号模型 BJT的高频小信号模型 互导 ②简化模型 混合?形高频小信号模型 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 等价 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 所以 等价 由输入回路等价 从手册中查出 gm= ? Ib · Vbe · ? rbe = ? (1+ ?) VT IE = IE VT ? 所以 可见， ?模型中的参数rbe、 gm都与Q点有关。 式4.7.21c 等价 由输出回路等价 3. BJT的频率参数 内容自学 4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应 1. 高频响应 ①?形高频小信号等效电路 对节点 c 列KCL得 ②电路简化（求密勒电容） 称为密勒电容 得 目标：断开输入