《传感器及检测技术》4.1-光电效应和光电器件.pptVIP

* * * * * * * 有光照时，光敏电阻Rg下降,继电器断开; 无光照时，光敏电阻Rg上升,VDW1反向饱和导通,继电器闭合. 光敏电阻开关控制电路 Rg 磁电式 继电器 1. 工作原理与结构 光敏二极管是基于半导体光生伏特效应制成。其结构与一般二极管相似，装在透明玻璃外壳中，其PN结对光敏感。将PN结装在管顶部，上有一个透镜制成的窗口，以使光线集中在 PN 结上。 4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管 光敏二极管 光敏二极管工作时一般是外加反向工作电压。无光照时，反向电阻很大，反向电流很小，光敏二极管处于截止状态。有光照时，在PN结附近产生光生电子和空穴对，使少数载流子浓度大大增加，故通过PN结的反向电流也随之增加，从而形成由N区指向P区的光电流，此时光敏二极管处于导通状态。 当入射光强度变化时，光生电子和空穴对的浓度也相应变化，故通过光敏二极管的电流也随之变化，这就实现了将光信号转变为电信号的输出。在家用电器、照相机中光敏二极管用作自动测光器件。 光敏二级管工作原理 光敏晶体管有NPN和PNP型两种，是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通晶体管，外形与光电二极管相似。其工作原理与光敏二极管很相似。光敏晶体管有两个PN结。当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，基极-集电极就反偏。当光照射在基极-集电结上时，就会在集电结附近产生光生电子-空穴对，从而形成基极光电流。集电极电流是基极光电流的β倍。这与普通晶体管放大基极电流的作用很相似。故光敏晶体管放大了基极光电流，其灵敏度比光敏二极管高出许多。 光敏晶体管结构和工作原理 2． 基本特性 （1）光谱特性 （2）伏安特性 （3）光照特性 （4）温度特性 （5）频率响应 可见，光敏二极管的光照特性曲线的线性比光敏晶体管好。但光敏晶体管的光电流比光敏二极管大，因为光敏晶体管具有电流放大倍数。故光敏晶体管的信噪比要比光敏二极管小。 硅光敏二级管和硅光敏晶体管的光照特性 （1）光照特性 可见，当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降，这是因为光子能量太小，不足以激发电子-空穴对。当入射光波长缩小时，相对灵敏度也要下降，这是因为光子在半导体表面附近就被吸收，投入深度小，在表面激发的电子-空穴对不能到达PN结。光敏二极管和光敏晶体管对入射光的波长有一个响应范围。如锗管的响应范围在0.6?m～1.8?m波长附近；而硅管的响应范围在0.4?m～1.2?m波长附近。 硅和锗光敏二极（晶体）管的光谱特性 因为锗管暗电流较大，故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管。 在红外光进行探测时，则锗管较为适宜。 （2）光谱特性 其伏安特性曲线类似于普通二极管和三极管。可见，在零偏压时，光敏二极管有光电流输出；而光敏晶体管无光电流。光敏二极管的光电流主要取决于光照强度，所加偏压影响较小。而光敏晶体管的偏压对光电流的影响较大。且光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。 (a) 光敏二极管的伏安特性 (b) 光敏晶体管的伏安特性 （3）伏安特性 （4）温度特性 其暗电流及光电流与温度的关系 温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。 （5）频率响应 指具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系 硅光敏晶体管的频率响应 硅管的频率响应较锗管好。光敏晶体管的截止频率与其基区厚度成反比。要截止频率高，基区就要薄，但这将降低光电灵敏度。 光电池在有光线作用下实质上就是电源，电路中有了这种器件就不再需要外加电源。它是一种直接将光能转换为电能的光电器件。硅光电池是在一块N型(或P)硅片上，用扩散法掺入一些P型(或N)杂质，而形成一个大面积的PN结。当入射光照在PN结上时，PN结附近激发出电子—空穴对，在PN结势垒电场作用下，将光生电子拉向N区，光生空穴推向P区，形成P区为正、N区为负的光生电动势。若将PN结与负载相连，则电路上有电流流过。电流的方向由P区流经外电路至N区。若将电路断开，就可以测出光生电动势。 4.1.5 光电池- 1.工作原理与结构 2． 基本特性 (1) 光谱特性 (2) 光照特性 (3) 频率响应 (4) 温度特性 (5) 稳定性 指相对灵敏度和入射光波长之间的关系。可见，不同材料的光电池的光谱峰值位置是不同的，例如，硅光电池可在400～1200nm的较宽范围内使用，而硒光电池只能在380nm～750nm范围内使用。 （1）光谱特性 指光生电动势与照度之间的