扫描电子显微镜推荐.pptVIP

* HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 二次电子象是一种无影象，这对观察复杂表面形貌是有益的。如果样品是半导体器件，在加电情况下，由于表面电位分布不同也会引起二次电子量的变化，即二次电子象的反差与表面电位分布有关。这种由于表面电位分布不同而引起的反差，称为二次电子象电压反差，利用电压反差效应研究半导体器件的工作状态（如导通、短路、开路等）是很有效的。 * HNU-ZLP * 二、二次电子形貌衬度的应用 断口分析 沿晶断口 韧窝断口 解理断口 纤维增强复合材料断口 表面形貌分析 材料变形与断裂动态过程的原位观察 * HNU-ZLP * 第五节 背散射电子图象衬度原理 背散射电子形貌衬度特点 背散射电子原子序数衬度原理 背散射电子检测器工作原理 * HNU-ZLP * 一、背散射电子形貌衬度特点 背散射电子能量较高，多数与入射电子能量相近。在扫描电镜中通常共用一个检测器检测二次电子和背散射电子，通过改变检测器加电情况，可实现背散射电子选择检测，由于背散射电子基本上不受收集栅电压影响而直线进入探测器，所以有明显的阴影效应，呈象时显示很强的衬度，但会失去图象的许多细节。如图。 * HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 二、背散射电子原子序数衬度原理 背散射电子产额随原子序数增大而增多，如图。在进行图象分析时，样品中重元素区域背散射电子数量较多，呈亮区，而轻元素区域则为暗区。 * HNU-ZLP * 三、背散射电子检测器工作原理 背散射电子检测器的工作原理如图。A和B表示一对半导体硅检测器，将二者收集到的信号进行处理： 二者相加，得到成份象； 二者相减，得到形貌象。 * HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 第六节 其它信号图象 扫描电镜图象还有吸收电子象、扫描透射电子象、阴极荧光象和电子感应电动势象，以及X射线显微分析等。 吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少，吸收电子越多；反之样品的原子序数越大，背散射电子越多，吸收电子越少。因此，吸收电子象的衬度是与背散射电子和二次电子象的衬度互补的。如图为球墨铸铁的背散射电子和吸收电子象。 电子感应电动势象是半导体器件所特有的，常用来显示半导体、绝缘体的表面形貌、晶体缺陷、微等离子体和P－N结。 * HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 扫描电镜操作演示 * HNU-ZLP * 第七节 样品制备 扫描电镜样品可以是块状，也可以是粉末；样品或样品表面要求有良好的导电性，对于导电性差或不导电的样品，需真空镀膜（镀金）。 专用扫描电镜，其样品尺寸可以比较大：?25mm?20mm。 HNU-ZLP * * 第十二章 扫描电子显微镜 电子束与固体样品相互作用 扫描电镜结构原理 主要性能指标 二次电子图象衬度原理及其应用 背散射电子图象衬度原理及其应用 其它信号图象 扫描电镜操作 样品制备 * HNU-ZLP * 主要优点：放大倍数大、制样方便、分辨率高、景深大等 目前广泛应用于材料、生物等研究领域 扫描电子显微镜的成象原理和光学显微镜、透射电子显微镜均不同，它不是以透镜放大成象，而是以类似电视摄影显象的方式、用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发产生的某些物理信号来调制成象，近年扫描电镜多与波谱仪、能谱仪等组合构成用途广泛的多功能仪器。 * HNU-ZLP * 扫描电镜原理— JEOL动画演示 * HNU-ZLP * 第一节 电子束与固体样品相互作用 如图，当高能电子束轰击样品表面时，由于入射电子束与样品间的相互作用，99％以上的入射电子能量将转变成热能，其余约1％的入射电子能量，将从样品中激发出各种有用的信息，它们包括： * HNU-ZLP * 一、二次电子 二次电子是被入射电子轰击出来的核外电子，它来自于样品表面100?左右(50~500?)区域，能量为0～50eV，二次电子产额随原子序数的变化不明显，主要决定于表面形貌。二次电子是指背入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处，那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。 * HNU-ZLP * 二、背散射电子 是指被固体样品原子反弹回来的一部分入射电子，它来自样品表层0.1~1?m深度范围，其能量近似于入射电子能量，背散射电子产额随原子序数的增加而增加，如图。利用背散射电子作为成象信号不仅能分析形貌特征，也可用来显示原子序数衬度，定性地进行成份分析。 * HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 三、透射电子 当样品足够薄时(?0.1?m)，透过样品的入射电子即为透射电子，其能量近