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2018-04-29 发布于河南
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CHAPTER1 奈米科學與技術之基本概念.pdf

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CHAPTER1 奈米科學與技術之基本概念

第 3章奈米材料之製備 Chapter3 奈米材料之製備 3.1 氣相法 3.2 液相法第 3章奈米材料之製備 材料的某一維尺寸介於 1~100 奈米大小時，即被稱之為奈米材料。 依照其具奈米尺度的維度之不同，奈米材料可分為零維奈米材料( 如圖3.1所示之量子點及奈米晶粒等) 、一維奈米材料( 如圖3.2所示之奈米管、奈米線及奈米柱等) 與二維奈米材料( 如圖3.3所示之量子井、奈米薄膜及奈米多層薄膜等) 。 P61 第 3章奈米材料之製備 3.1氣相法 3.1.1前言 以氣相合成法於基板上成長零維奈米材料與二維奈米材料之機制可以如圖3.4所示。採用傳統用來論述薄膜成長機制之模式來描述之。 1. Frank-Merwe層狀模型： 2. Volmer-Weber島嶼模型： 3. Stranski-Krastanov模型：第 3章奈米材料之製備 3.1.2化學氣相沉積 (Chemical Vapour Deposition, CVD) 利用含有構成鍍層之元素的一種或多種化合物之氣體，於氣相或在基板表面上，發生化學作用而生成所需求之固體薄膜在化學氣相沉積系統中沉積薄膜或奈米材料主要發生之步驟如下： 1. 以熱裂解、光或電漿等方式產生具反應性之氣相物種。 2. 此反應性氣相物種被輸送至反應器。 3.這些先驅物種在氣相中進行氣相均相反應，產生中間相物種。 (1)在高溫區進行氣相均相反應產生粉末。 (2)低溫區產生之中間相物種，以擴散方式進入基板上方之邊界層。第 3章奈米材料之製備 4.中間相物種吸附於基板上，非均相反應發生於氣固界面，產生生成物及氣體副產物。 5. 基板上之生成物於加熱之基板上擴散至有利的位置，進行成核及成長。 6.氣體副產物以擴散方式離開邊界層(boundary layer) 。 7. 未反應之氣相物種及副產物被輸送至反應器外。 P65 第 3章奈米材料之製備 P66 通常將上述反應步驟再劃分四種不同反應速