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概念 物质由液态到固态的转变过程称为凝固。 如果液态转变为结晶态的固体，这个过程称为结晶。 金属及合金的生产、制备一般都要经过熔炼与铸造，通过熔炼，得到要求成分的液态金属，浇注在铸型中，凝固后获得铸锭或成型的铸件，铸锭再经过冷热变形以制成各种型材、棒材、板材和线材。 金属及合金的结晶组织对其性能以及随后的加工有很大的影响，而结晶组织的形成与结晶过程密切相关。 第一节 晶体材料的凝固(结晶)概述 第二节 结晶的热力学条件 形核规律 思考题 9.2.2 长大条件 思考题 1.具有粗糙界面的物质的长大机制 具有粗糙界面的物质，液-固相界面上有大约一半的原子位置是空的，液相中的原子可随机地添加在界面的空位置上而成为固相原子。晶体的这种生长方式称为垂直生长机制，其长大速度很快。 图 晶体的垂直长大方式示意图 2.具有光滑界面的物质的长大机制 （1）二维晶核台阶生长模型 首先在平整界面上通过均匀形核形成一个具有单原子厚度的二维晶核，然后液相中的原子不断地依附在二维晶核周围的台阶上，使二维晶核很快地向四周横向扩展而覆盖了整个晶体表面。接着在新的界面上又形成新的二维晶核，并向横向扩展而长满一层。 图 二维晶核长大示意图 （2）晶体缺陷台阶生长机制 由于二维晶核的形成需要一定的形核功，因而需要较强的过冷条件，长大速率很慢。 如果结晶过程中，在晶体表面存在着垂直于界面的螺位错露头，那么液相原子或二维晶核就会优先附在这些地方。液相原子不断地添加到由螺位错露头形成的台阶上，界面以台阶机制生长和按螺旋方式连续地扫过界面，在成长的界面上将形成螺旋新台阶。这种生长是连续的。 图 螺旋长大的SiC晶体 图 螺型位错长大机制 纯金属凝固时晶体的生长形态取决于界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布。 图 两种温度分布方式 (a) 正温度梯度 (b) 负温度梯度 §3.4.3 纯金属的生长形态 为什么会出现负的温度梯度？ 液态金属在铸模中凝固时，往往由于模壁温度比较低，使靠近模壁的液体首先过冷而凝固。而在铸模中心的液体温度最高，液体的热量和结晶潜热通过固相和模壁传导而迅速散出，这样就造成了液-固相界面前沿液体的温度分布为正的温度梯度。 在缓慢冷却条件下，液体内部的温度分布比较均匀并同时过冷到某一温度。这时在模壁上的液体首先开始形核长大，液-固相界面上所产生的结晶潜热将同时通过固相和液相传导散出，这样使得界面前沿的液体中产生负的温度梯度。 1.在正的温度梯度下 1）粗糙界面时 对于粗糙界面的晶体，其生长界面以垂直长大方式推进。由于前方液体温度高，所以生长界面只能随前方液体的逐渐冷却而均匀地向前推移。整个液-固相界面保持稳定的平面状态，不产生明显的突起。 2）光滑界面时 对于光滑界面结构的晶体，其生长界面以小平面台阶生长方式推进。小平面台阶的扩展同样不能伸入到前方温度高于Tm的液体中去，因此，从宏观来看液-固相界面似与Tm等温线平行，但小平面与Tm等温线呈一定角度。 在正的温度梯度下，晶体的这种生长方式称为平面状生长。晶体生长方向与散热方向相反，生长速度取决于固相的散热速度。 图 正温度梯度下两种界面形态 (a) 粗糙界面 (b) 光滑界面 2.在负的温度梯度下 晶体生长界面一旦出现局部凸出生长，由于前方液体具有更大的过冷度而使其生长速度增加。在这种情况下，生长界面就不可能继续保持平面状而会形成许多伸向液体的结晶轴，同时在晶轴上又会发展出二次晶轴、三次晶轴等等。 晶体的这种生长方式称为树枝状生长。在树枝晶生长时，伸展的晶轴具有一定的晶体取向以降低界面能。 在负的温度梯度下，对于粗糙界面结构的金属晶体，明显以树枝状方式生长。对于光滑界面结构的晶体，仍以平面生长方式为主（即树枝状生长方式不很明显），某些亚金属则具有小平面的树枝状结晶特征。 图 树枝生长示意图 图 树枝状长大的晶粒示意图 细化晶粒的好处：提高强度、硬度、塑性和韧性。 工业上将通过细化晶粒来提高材料强度的方法称为细晶强化。 细化铸件晶粒的基本途径：形成足够多的晶核，使它们在尚未显著长大时便相互接触，完成结晶过程。 大的形核率以保证单位时间、单位体积液体中形成更多的晶核。要求结晶时有小的长大线速度以保证有更长的形核时间。 §9.5.1 晶粒尺寸控制 1.提高过冷度 过冷度增加，形核率N与长大线速度G均增加，但形核率增加速度高于长大线速度增加的速度，因此，增加过冷度可以使铸件的晶粒细化。 在工业上增加过冷度是通过提高冷却速度来实现的。 采用导热性好的金属模代替砂模；在模外加强制冷却；在砂模里加冷铁以及采用低温慢速浇铸等都是有效的方法。 对于厚重的铸件，很难获得大的冷速，这种方法的应用受到铸件尺寸的限制。 2.变质处理 外来杂质能增加金