IRFI4020H-117P;中文规格书,Datasheet资料35.pdfVIP

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2018-05-19 发布于贵州
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IRFI4020H-117P;中文规格书,Datasheet资料35

IRFI4020H-117P Features Key Parameters Integrated half-bridge package VDS 200 V Reduces the part count by half RDS(ON) typ. @ 10V 80 m Facilitates better PCB layout Q typ. 19 nC g Key parameters optimized for Class-D Qsw typ. 6.8 nC audio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Ω Low R for improved efficiency T max 150 °C DS(ON) J Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency Low Qrr for better THD and lower EMI Can delivery up to 300W per channel into 8Ω load in half-bridge configuration amplifier Lead-free package