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* §9-3 MOSFET输出特性的数学分析 本节将以 N 沟 MOSFET 为例，推导 MOSFET 的 ID ～ VD 方程。 推导时采用如下假设： ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流。 ② 采用缓变沟道近似，即： ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数。 这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由 感应出来而与 无关。 ④ 采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度 时沟道开始导电。 ⑤ QOX 为常数，与能带的弯曲程度无关。 1、非饱和区电流-电压方程的推导 当在漏极上加VD VS 后，沟道内产生横向电场 ，从而产生漂移电流： 上图及上式中，L、Z、b (y) 分别为沟道长度、沟道宽度与沟道厚度， 为沟道内的电子电荷面密度。 b(y) 以下推导 Qn 。强反型后，由于沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用 ，故能带的弯曲程度几乎不再随VG 而增大，表面势 也几乎维持 不变。于是有： 当外加 VD ( VS ) 后，沟道中产生电势 V ( y ) ，V ( y ) 随 y 而增加，从源处的 V ( 0 ) = VS 增加到漏处的 V ( L ) = VD 。这样 、xd 与 QA 都成为 y 的函数，可分别表为： 将 Qn 中的 在 V = 0 处用级数展开： 将上面的 和 QA 代入沟道电子电荷面密度 Qn 后，可知 Qn 也成为 y 的函数，即： 将 Qn 代入 ID 中，并经积分后可得 ID 的表达式，但其形式极为繁琐。在一般情况下可对上式进行简化 。 当只取一项时， 再若VS = 0 ，VB = 0 时，可将VD 写作 VDS ，VG 写作 VGS ，则 Qn 成为： 将此 Qn 代入 I D 中，得： 再将 写作 ，则上式成为： 上式表明，ID 与 VDS 成抛物线关系，即： 但实际上上式只在抛物线的左半段有物理意义。 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 ID sat ： 这一点正好是抛物线的顶点。所以 VD sat 也可由令 而解出。 由 Qn 的表达式可知，在 y = L 的漏极处， 可见 | Qn(L) | 是随VDS 增大而减小的。当VDS 增大到被称为饱和漏源电压 的 VD sat 时，Qn ( L ) = 0 ，这称为 沟道被夹断 。显然： 当 VDS VD sat 后，最简单的处理方法是从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。 以不同的 VGS 作为参变量，可得到一组 ID ～VDS 曲线，这就是 MOSFET 的输出特性曲线。 对于 P 沟道 MOSFET，可得类似的结果： 上式中， 以上公式虽然是近似的，但因计算简单，在许多场合得到广泛的应用。 当在 级数展开式中取前两项时，得： 上式中， 以上公式与不对 做简化的精确公式已经极为接近。 经类似的计算后可得： 实测表明，当VDS VD sat 后，ID 随VDS 的增大而略有增大，也即 MOSFET 的增量输出电阻 不是无穷大而是一个有限的值。 2、饱和区 通常采用两个模型来解释 ID 的增大。 *