全自动球焊设备25μm金丝键合正交试验研究.docx

2011年9月第十七届全国混合集成电路学术会议论文集合肥全自动球焊设备25 1xm金丝键合正交试验研究李慧，王辉(中国电子科技集团公司第二十九研究所)摘要：在超声热压焊中影响引线键合的参数很多。本论文主要考虑超声功率、超声时间以及焊接压力对键合强度的影响。论文研究使用全自动球形焊设备在厚膜基底上 焊接25Ixm金丝的键合参数。从正交试验分析得出以上因素对焊点键合强度的影响大小 排序为A>C>B，且较4咒_x-艺方案为A382C3。关键词：超声热压焊；金丝键合；超声功率；厚膜Researeh of Orthogonal Test on 25 tan Gold Wire Bonding ofAutomatic Ball Wire BonderLi hui，Wang hui(The 29“Research Institute of CETC，Chengdu 610036，China)Abstract：In the process of ultrasonic thermo compression bonding there are many factors which affect the bomding strength．In this paper we mainly discuss the influence of ultrasonic power．time and soldering pressure on bonding strength．This paper discusses the 25 micro Au—wire bonding parameters on thick film substrate n· sing automatic ball wire bonder．By analyzing the above parameter。the order of influencing factor isC>B>A， and the better solution is“A382C3”．Key Words：ultrasonic thermo compression bonding，Au wire bonding，ultrasonic power，thick film波键合工艺包括热压焊与超声焊两种形式1 引言的组合。超声波键合的基础上，采用对加21世纪，微电子元器件的芯片在向 热台和劈刀同时加热的方式，加热温度较 微、薄、集成化的方向发展，对其加工制作 低(加热增强了金属间原始交界面的原子 中的封装设备要求则是高精密、高速、高智相互扩散和分子(原子)间作用力，金属的 能化。微电子技术仍然是信息产业的主要 扩散在整个界面上进行，实现金丝的高质 技术支撑之一，引线键合设备是微电子器 量焊接。 件制造业的重要工具，全自动引线键合机热压超声波键合因其可降低加热温 是半导体封装工艺中的核心设备，它是集 度、提高键合强度、有利于器件可靠性而取 精密机械、自动控制、图像识别、计算机应 代热压键合和超声波键合成为键合法的主 用、光学、超声波焊接等多领域技术于一体 流。本试验采用自动丝焊设备并设计正交 的现代高技术微电子生产设备一。41。实验来优化厚膜基底上焊接25斗m金丝的引线键合工艺可分为三种：热压键合，焊接参数，实现自动丝焊设备高质量、高效 超声波键合与热压超声波键合。热压超声率、大范围应用于装备生产。2l】可靠性与测试技术芯片电极金属发生塑性变形和原子间相互2试验过程扩散，并完成第1次键合，然后劈刀运动到2．1键合过程分析第2个键合位置，第二点焊接包括针脚式 实验中使用的设备是一台超声热压球焊接和拉尾线，通过劈刀外壁对金属线施 形焊接设备，球键合时将金丝穿过键合机加压力以楔焊的方式完成第2次键合，焊 劈刀毛细管，到达其顶部，利用氢氧焰或电接之后拉尾线是为下一个键合循环金属球 气放电系统产生电火花以熔化金属丝在劈的形成作准备。劈刀升高到合适的高度以 刀外的伸出部分，在表面张力作用下熔融控制尾线长度，这时尾端断裂，然后劈刀上 金属凝固形成标准的球形，球直径一般是升到形成球的高度。形成球的过程是通过线径的2倍～3倍，紧接着降下劈刀，在适离子化空气间隙的“电子火焰熄灭”过程 当的压力和定好的时间内将金球压在电极实现的，所形成的球即为自由空气球。具 或芯片上。键合过程中，通过劈刀向金属体的键合过程见图l所示。 球施加压力，同时促进引线金属和下面的星至塾兰受当虹坠』∞开始焊擅用■出』叁雯查型∞掉第2十辱点呻上开置烧雌高度∞电^花烧聿图1 超声热压球形焊一个焊接周期示意图2．2键合参数分析通常的键合时间都在几毫秒，并且键2．2．1键合温度合点不同，键合时间也不一样。一般来说， 键合温度指的是外部提供的温度，键键合时间越长，引线球吸收的能