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LED 芯片制造 刘军林 LED基础知识 GaN基LED GaN材料的外延生长 Si衬底GaN基LED的芯片制造 芯片制造的基础知识 （1）电子束蒸发 （2）热阻蒸发 3.射频设备与技术 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) RIE (Reactive Ion Etching) 等离子去胶机 去边 （2）SiO2掩膜光刻 去边 （3）去边腐蚀 去边 （4）去Pt (P型接触层) 去边 （5）去SiO2 钝化 （1）SiN生长 * LED－－Light Emitting Diode－－发光二极管 衬底材料：SiC；蓝宝石（AL2O3）；Si 3.59 0.543 Si 4.2 0.308 SiC 7.5 0.4758 Al2O3 5.59 0.3189 GaN 热膨胀系数（10-6.K-1） 晶格常数(nm) 材料 外延片――P电极蒸发合金――粘结层蒸发―― bonding―― 去Si衬底――去边――钝化―― N电极蒸发――N电极光刻－－点测－－划片－－自动分选－－手动分选 1.蒸发 蒸发是利用真空泵将淀积室抽成“真空”，然后用高熔点材料制成的坩埚将淀积材料加热、蒸发、淀积于芯片上。制膜过程包括下述几个物理阶段：(1)淀积材料蒸发或升华为气态，(2)原子(或分子)从蒸发源输运到芯片上，(3)蒸气粒子在基片上淀积并重新排列形成薄膜。 目前常用的蒸发有两种：电子束蒸发和热阻蒸发 2.光刻 光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶 涂光刻胶并前烘 曝光 曝光后 显影并坚膜 腐蚀 去胶 目前用到的有：PECVD,RIE,ICP,等离子去胶机 以上设备一个共同特点就是均涉及到等离子体，等离子体是由中性原子或分子、电子（-）和正电离子所组成 等离子体的产生： （1）离子化：气体中存在少量的自由电子(e)，这些自由电子在射频电场中获得高能量，这些具有高能量的电子（e*）与原子或者分子发生碰撞，使原子或者分子中的电子脱离原子核的束缚，这样就产生更多的电子并同时产生正电离子 e* + A→A＋ + 2 e （2）激发与松弛 e * + A →A* + e A*→ A + hν (Photos) 不同的原子或分子有不同的轨道结构和能级，它们的发光頻率也就不同，所以不同气体等离子体呈现的颜色不同 （3）分解 当高能电子和分子碰撞时，可以打断化学键，并产生自由基： e* + AB → A + B + e 自由基至少有一个未成对电子，具有很高的化学活性 以SiO2生长为例说明反应过程 生长使用SiH4 和NO2 (笑气) e* + SiH4 → SiH2 + 2H + e e* + N2O → N2 + O + e SiH2 + 3O → SiO2 + H2O ICP (Induced Coupled Plasma) 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O BONDING 压力/温度 压头 石墨 外延片与基板 硅衬底400μ GaN外延层 粘贴面 金层 双面镀金基板200μ 动画 3.衬底转移技术 去Si衬底 N型层 化学腐蚀-硅腐蚀液 硅衬底 硅衬底 芯片制造工艺流程 外延片 P型接触层蒸发合金 粘结层蒸发 粘结层光刻 衬底转移 （1）BONDING BONDING 前 BONDING后 衬底转移 （2）去Si衬底 去边 （1）SiO2掩膜生长 *