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芯片生产工艺流程（课件） 单晶拉制（1） 单晶拉制（2） 单晶拉制（3） 单晶拉制（4） 单晶拉制（5） 环境和着装 单项工艺-扩散(1) 单项工艺-扩散(2) 单项工艺-扩散(3) 单项工艺-光刻(1) 单项工艺-光刻(2) 单项工艺-光刻(3) 单项工艺-光刻(4) 单项工艺-光刻(5) 单项工艺-光刻(6) 单项工艺-光刻(7) 单项工艺-CVD（1） 单项工艺-CVD（2） 单项工艺-CVD（3） 单项工艺-CVD（4） 单项工艺-CVD（5） 单相工艺-离子注入（1） 单相工艺-离子注入（2） 单相工艺-离子注入（3） 单相工艺-蒸发（1） 单相工艺-蒸发（2） 单相工艺-蒸发（3） 单相工艺-清洗 基础认知 衬底材料 一次氧化 基区光刻 干氧氧化 离子注入 基区扩散 发射区光刻 发射区预淀积 发射区扩散（*） 发射区低温氧化（*） 氢气处理 N+光刻（适用于P型片） N+淀积扩散（适用P型片） N+低温氧化（适用P型片） 氢气处理（适用P型片） 3B光刻 铝蒸发 四次光刻 氮氢合金 AL上CVD 氮气烘焙（适用N型片） 五次光刻 中测抽测 减薄、抛光 蒸金/银 背金合金 芯片测试 N型片制造（一般）工艺流程 P型片制造（一般）工艺流程 扩散层 外延层 2 2 2 2 测试系统 2 减薄和抛光部分 * * 卧式4炉管扩散/氧化炉 扩散/氧化进炉实景图 立式扩散/氧化炉 扩散/氧化进炉实景图 扩散工序作业现场 先进光刻曝光设备 现场用光刻曝光设备 检查用显微镜 清 洗 淀积/生长隔离层 匀 胶 （SiO2 Si3N4 金属…） -HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶 前 烘 对 版 匀 胶 -对每个圆片必须按要求对版 -用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。 -增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发 显影/漂洗 坚 膜 腐 蚀 -硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。 -将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。 去 胶 -干法腐蚀/湿法腐蚀 光刻工艺过程 初级离子气体被吸收到硅片表面 初级离子气体在硅片表面分解 玻 璃 的 解 吸 蒸发原理示意图 溅射原理示意图