MEMS电容式加速度传感器的研究现状.docVIP

MEMS电容式加速度传感器的研究现状 ［ 作者：李国珍,邰爱民??转贴自:本站原创????????更新时间:2008-8-5 11:31:00????文章录入：sws］ MEMS电容式加速度传感器的特点，然后阐述了MEMS电容式加速度传感器的两种主要结构形式－表面硅和立体硅，并列举了其三种主要的实现工艺－表面工艺、传统立体硅工艺和LIGA工艺，最后介绍了MEMS电容式加速度传感器的发展现状及其应用情况。 关键词：表面硅 立体硅 MEMS电容式加速度传感器 The Development of MEMS Capacitive Acceleration Sensor Li GuoZhen, Tai Aimin Beijing Institute of Strength and Environment Abstract：This paper first introduces the features of the MEMS capacitive acceleration sensor, then represents the two key constructions of the accelerator －surface silicon and solid silicon, and exams the three main technology- surface silicon technology, tradition solid silicon technology and LIGA technology, finally discusses the development and application of the MEMS capacitive acceleration sensor. Keywords：surface silicon technology, solid silicon technology, MEMS capacitive acceleration sensor 电容式加速度传感器具有结构简单、灵敏度高、动态响应特性好、抗过载能力大，对高温、辐射和强烈振动等恶劣条件适应性强、价格便宜等一系列优点，因此它已成为一种很有发展前途的传感器，国内外不少人认为电容式传感器是未来最有希望的传感器。但是，由于它存在的缺点和问题如电容值很小，其改变量更小，测量这样小的电容量（如0.1～10pF），电容测量电路必须有更高的灵敏度和极低的漂移，因此采用分立电路是不可能的，必须采用电容和测量电路集成化。 随着MEMS技术的发展，使得敏感元件和调理电路集成化成为了可能并由此产生了MEMS硅微电容式加速度传感器。本文将详细阐述MEMS硅微集成电容式传感器的结构形式以及发展现状和典型应用。 1.引言 几十年来，人们多用压电式加速度传感器或压阻式加速度传感器来测量振动和冲击。但是对于测量持续时间长的冲击运动，所用的传感器具有零频响应是极为重要的。压电式加速度传感器结构牢固，但是频响不能到零，而压阻式加速度传感器虽能敏感稳态加速度，但容易由过量冲击和共振造成损坏，它不具有某些应用场合所要求的坚固程度和低“g”值测量时所需的精确度，并且对温度敏感[1]。 变电容式加速度传感器正好弥补了上述缺陷，这种加速度传感器能承受比较大的过冲量而且由于其避开了压阻温度效应，因此温度特性比较好。利用现代新的工艺技术制成的、根据变电容原理工作的变电容式加速度传感器，是专用于测量稳态或低频的低“g”值的振动，但又可耐受高“g”值的冲击而不损坏。 2.电容式加速度传感器的结构形式 电容式微加速度计是利用质量块把加速度的变化转换成电容电极间极距的变化，一般采用差分结构。从结构形式上,电容式微型加速度计可分为两类：表面硅微型加速度计和体硅微型加速度计。 表面硅微型加速度计可以通过微机械加工工艺来实现，即通过对硅表面层的加工及牺牲层的腐蚀来获得微机械部件，因此当被用于制作惯性传感器时，所制得的器件的惯性质量和检测电容都很小。 而体硅微型加速度计则可以通过传统体硅微机械加工工艺或LIGA工艺来实现，通过微机械加工工艺可以制得具有较大惯性质量的器件。 在传统的体硅微机械中，玻璃2硅2玻璃的三明治结构通常被用来构成适合于检测电容变化的差分电容式结构[2]，下面分别从表面硅工艺、传统体硅工艺和LIGA工艺来介绍电容式加速度传感器的常用的两种结构形式。 1)???????? 表面硅工艺 表面硅工艺采用与集成电路工艺相似的表面加工手段，以单晶硅或多晶硅薄膜来制作机械结构。采用的工艺方法包括外延、掺杂、溅射、化学汽相淀积、光刻、氧化等。 ? 图1 SDB－SOI结构表面硅工艺电容式微加速度传感器 如图1所示，该传感器是用SDB- SOI(硅-硅直接键合硅- 绝缘体