电子科技大学物理光学第五章.pptVIP

* * 第五章 半导体的导电性 第一节 载流子的散射 一、散射的概念 E v 1、漂移运动 E F a v J ？ 2、欧姆定律 E一定，J一定 载流子受到了某种阻力，在运动过程中不断遭到“散射” ， 从电场作用获得的漂移速度便不断地散射到各个方向上去， 使漂移速度不能积累起来。在外力和散射的双重影响下，有一平均漂移速度 按固体物理理论： 周期性势场下，考虑了有效质量， 电子的运动等效为自由电子运动。 当严格的周期势场遭到破坏， 载流子的运动就不是自由的， 载流子的运动会受到散射作用。 任何破坏周期势场的因素都 可以引起载流子的散射作用。 实际晶体，各种原因导致势场偏离严格周期势场。 热运动：原子不断在平衡位置附近振 动，位移破坏了场的周期。 缺陷：杂质原子、原子本身几何排列上的缺陷 引起势场偏离严格的周期性。 E 附加势场 实际的势场 周期性势场 二、半导体的主要散射机制 电离杂质散射：电离杂质引起的散射 晶格散射与声子散射：由于晶格振动引起的散射 中性杂质散射：在杂质浓度不是很高时 电子或空穴散射：高载流子浓度 晶格缺陷散射：多晶体时很重要 表面散射：载流子在表面运动时受表面因素作用 粗糙度 1．电离杂质散射 杂质电离后带电（施＋、受－） 形成一个库仑场（ΔV） 局部破坏杂质附件周期势场 说明 1、Ni大，Pi大 2、T高，速度大，不易被散射，偏转小 3、低温情况下，电离杂质散射比较重要 2、晶格振动的散射 格波 声 光 横 纵 横 纵 长 短 ●●●●●● 声学波散射 长、纵声学波起主要作用 声子动量应和电子动量具有同数量级 电子波长 原子间距 长波 振动方向与 传播方向一致 原子分布 疏密变化 原子间 距变化 禁带宽 度波动 周期势场被破坏 ？ 特点：a.ΔV-能带起伏引起 b. 温度越高，晶格振动越强，散射几率越大 横波呢？ 离子性半导体，温度较高时，长纵波散射作用重要 光学波散射 长纵 光学波 两离子振动 位移相反 电荷分 布不均 产生 电场 周期势场遭到破坏 特点：a.ΔV-内电场引起 b. 温度下降，散射几率按指数规律迅速减小。 光学波散射在低温时不起什么作用。 两种散射同时存在 不同半导体，两种散射强弱不同， 共价结合的元素半导体（硅和锗），长声学波散射为主， 离子性半导体中，长光学波散射为主 三、平均自由时间和散射几率的关系 1、概念 自由时间：电场作用下，载流子连续两次散射间的时间 E t1 t2 平均自由时间 ：取多次自由时间的平均值 如：N个速度为ν的载流子 N(t＋Δt)： t＋Δt未散射载流子数 N(t)：t时未散射的载流子数 P－散射几率 T：t＋Δt被散射载流子数 解为 t=0时未散射的载流子数 Δt后被散射的载流子数 t－t＋Δt内遭到散射的所有载流子的自由时间均为τ 两次散射间所有载 流子自由时间的总和 自由时间的总和 平均自由时间 平均自由时间等于散射几率的倒数 第二节 载流子漂移运动基本规律 一、迁移率 假设： 电场 E 电子各向同性， 有效质量 第一次散射t=0，沿x方向速度V0x 加速运动t后速度Vx时受第二次散射， X方向分量的平均值应为零 平均值即可得到平均漂移速度。 遭到散射的电子数 电子漂移速度的总和 平均漂移速度 迁移率是描述载流子在电场中作 漂移运动难易程度的物理量 每个电子获得的漂移速度 迁移率 二、电导率 电子与空穴同时参与导电： 总是：