半导体器件教学课件PPT汇总.ppt

第 1 章半导体器件 The End 最终由自由电子形成N沟道： 其沟通源区与漏区 并与衬底间被耗尽层绝缘 N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID UGS越大，电场越强，沟道越宽，沟道等效电阻越小。 导电沟道形成后， UDS越大，ID越大。 开启电压： 当UGSUGS(th)时， 导电沟道还没有形成，ID≈0； 当UGSUGS(th)时， 导电沟道已形成， 随着UGS的增大， ID也增大。 （3）特性曲线 ID UGS O UGS(th) 无沟道 有沟道 ID UDS UGS=1V 2V 3V 4V 2 耗尽型绝缘栅场效应管 （1）结构特点（以 N沟道为例） N+ N+ P型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 在制造管子时，即在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，因而在两个 N+区之间感应出许多电子，形成原始导电沟道。 （2）工作特点 ● UDS + - ID N+ N+ P型硅衬底 S D G 由于有原始导电沟道的存在，当UGS=0时，在UDS的作用下，也会有电流ID。 N+ N+ P型硅衬底 S D G + - UGS ● UDS + - ID 当UGS0时，UGS越大，导电沟道越宽，等效电阻越小，在同样的UDS作用下，ID也就越大。 N+ N+ P型硅衬底 S D G - + UGS ● UDS + - ID 当UGS0时，UGS负值越大，导电沟道越窄，等效电阻越大，在同样的UDS作用下，ID也就越小。 当UGS小于某一负值时，导电沟道被夹断，这时不管UDS为多大，都有ID=0。 （3）特性曲线 夹断电压： 当UGSUGS(off)时， 导电沟道被夹断，ID≈0； 当UGSUGS(off)时， 随着UGS的增大， ID也增大。 ID UGS 无沟道 有沟道 IDSS 漏极饱和电流 UGS(off) ID UDS UGS=-2V -1V 0V 1V 3 电路符号 G S D N沟道增强型 G S D P沟道耗尽型 G S D N沟道耗尽型 G S D P沟道增强型 4 主要参数 PDM (mV) 最大耗散功率 UGS(BR) (V) 最高栅源电压 UDS(BR) (V) 最高漏源电压 gm (?A/V) 共源小信号低频跨导 RGS (?) 栅源绝缘电阻（输入电阻） UGS(th) (V) 开启电压 UGS(off) (V) 栅源夹断电压 IDSS (?V) 漏极饱和电流 符号 参数 PD= UDSID 共源小信号低频跨导：gm (?A/V、 mA/V) gm表征场效应管UGS对ID控制能力的大小，也表明场效应管是电压控制元件。 特别说明 N沟道或P沟道 NPN型或PNP型 类型 电压控制 电流控制 控制方式 基极—栅极、发射极—源极、集电极—漏极 对应极 简单、成本低 较复杂 制造工艺 好 差 热稳定性 rds很高 rce很高 输出电阻 rgs=107～1014 rbe=102～104 输入电阻 gm= 1～5 (mA/V) ?=20～100 放大参数 只有一种载流子 参与导电 两种载流子 同时参与导电 载流子 （电子、空穴） 场效应管 晶体管 场效应管与晶体管的比较 第7节 光电器件（自学！） 利用光和电子相互作用制成的半导体器件统称为光电器件。半导体光电器件发展迅速，在测量、控制、显示及通信等领域获得了广泛的应用。 + - 1 发光二极管 LED—— Light Emitting diode LED是一种将电能转换成光能的器件，其结构和普通二极管相似，只是制作PN结的材料和普通二极管不同。 LED的发光颜色取决于所使用的材料及材料的浓度，如采用磷砷化镓可发红光或黄光；采用磷化镓可发绿光。 LED的工作电压为1.5V~2.5V，工作电流为几毫安到十几毫安，另外LED具有很强的抗振动和抗冲击能力、还有体积小、可靠性高和寿命长等优点，广泛用于信号指示和传递中。 紫外线高490mV/m2 紫外线最高944mV/m2 紫外线高392mV/m2 无紫外线0mV/m2 紫外线 有频闪 482Hz/s 有频闪 367Hz/s 有频闪 99.9Hz/s 无频闪 0Hz/s 频闪 （每秒的明暗闪烁次数） 70.5 65.2 95 91.4 显色指数 达到标准照度需要20W 达到标准照度需要15W 达到标准照度需要40W 达到标准照度需要7W 照度 普通护眼灯 节能灯 白炽灯 LED灯 2011年5月27日，中央电视台CCTV10《原来如此》专题报道了什么样的台灯才能保护视力。 2 光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，是一种将光能转换