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(2)恒压降模型 (3)折线模型 1.3.2 半导体二极管电路的分析方法 1. 图解法 (1)静态工作点Q 的图解 图解法关键——画直线 ①线性部分—— 直流负载线 ①线性部分—— 直流负载线 静态工作点 Q ? ①线性部分—— 直流负载线 ②非线性部分—— 指数特性 静态工作点 Q ? 联立求解,可得VD、ID 图解法 直线与伏安特性的交点 两线交点Q为静态工作点,对应的IQ为静态电流, VQ为静态电压。 (2)交流信号的图解 线性电路方程 直流负载线斜率: 为何要设立静态工作点Q ? 2. 工程近似法 1) 整流电路 若二极管具有理想的开关特性 串联下限幅电路 2)限幅电路 二极管反接时: 限幅特性 3)低电压稳压电路:当电源出现波动或者负载发生改变引起输出电压的变化,采用二极管稳压电路稳定输出电压 电路等效变换 4)静态工作点的近似计算 在求二极管的直流工作状态时,常取管子的导通电压为其静态电压,静态电流由回路参数决定。 恒压降模型 静态工作点为: 3. 小信号等效分析法 例1.5 解: 输入交流信号较小时,可将二极管视为线性元件,用引线电阻体电阻串联来等效。 小信号等效电路: 已知伏安特性,求v D、i D。 例1.6 (1) 静态分析 (令vi = 0) 由恒压降模型得 解: (2) 动态分析 (令VI=0) 小信号模型(小信号等效电路) 求小信号等效电阻 由小信号模型得 在上基础上求v D、 i D。 叠加原理 1.2 * 1.2.5 二极管结构及主要参数 将PN结引出电极,加上封装构成 二极管符号 1. 二极管的结构 二极管的伏安特性曲线 正向导通 反向截止 反向击穿 VAO = ? (1) 最大整流电流 IF (2) 反向击穿电压 VBR 和最大反向工作电压 VRM 2. 二极管的主要参数 一般: VRM = 1/2 VBR (3) 反向电流 IR (4) 正向压降VF :小电流硅二极管的正向压降约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V (5) 动态电阻 rd:反映二极管正向特性曲线斜率的倒数。 rd 与工作电流的大小有关 即 等效电阻的另一种求解方法 常温下(T=300K) (6) 极间电容C j 3. 稳压二极管 伏安特性曲线 利用PN结处于反向击穿状态时,通过的电流变化很大,而反偏端电压几乎不变的特性制成稳压二极管 稳压二极管的参数 (1) 稳定电压VZ 在规定的稳压管反向工作电流 IZ下,所对应的反向工作电压 (2) 动态电阻 r Z (3) 最大耗散功率PZM:取决于PN结的面积和散热等条件 PZ = VZ IZ 反向工作时PN结的功率损耗 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 稳压管的最大稳定 工作电流取决于最大耗散功率 PZmax =VZ IZmax IZmin对应于VZmin 若IZ< IZmin,则不能起稳压作用。 稳压二极管在工作时应反接,并串入一只电阻。 电阻的作用 ①限流作用,以保护稳压管; ②输入电压或负载电流变化时,通过该电阻上电压降的变化,取出误差信号以调节稳压管的工作电流,从而起到稳压作用 1.3 半导体二极管电路的等效模型及分析方法 1.3.1 半导体二极管在电路中的等效模型 1. 指数模型 伏安特性 真实地反映了实际二极管的工作特性。 简化模型:二极管V- I 特性 2. 理想开关模型 二极管正向偏置,二极管导通 二极管反向偏置,二极管截止 忽略二极管导通管压降 3. 恒压降模型 二极管导通管压降不能忽略时 等效电阻 4. 折线模型 二极管特性曲线在Q点斜率的倒数 5. 小信号电路模型:当外加信号工作在特性曲线的某一小范围内时,二极管的电流将与外加电压的变化成线性关系,可用小信号模型来进行等效 小信号条件: Q点(VQ、IQ )—未加交流信号时,外电路设置的静态工作点 正向特性可以等效为: 微变电阻 常温下(T=300K) 二极管电路模型:正向导通;反向截止 简单应用电路分析 限幅 整流 二极管的用途: 整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等。 D导通条件: v0 与 vI 的关系由D 的状态决定 D 处于反向截止时最简单! 状态判断:依据二极管的单向导电性 D导通: D截止: 若D正向导通,则 若D反向截止,则相当于开路 正向导通分析方法: 图解法 等效电路(模型)法 — 将非线性 ? 线性 二极管状态判断方法 假设D截止(开路)求D两端开路电压 应用电路举例 2CP1(硅), IF = 1
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