pn结正向注入.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Principle of Semiconductor Devices * * Principle of Semiconductor Devices 异质结的输运电流 * * Principle of Semiconductor Devices * * Principle of Semiconductor Devices 异质结的较为重要的电流模型分为五种： ①安德森模型 即热发射电流模型。 ②简单隧道模型 Rediker于1964年提出，在考虑热发射电流机构的同时，计入了尖峰势垒的隧道效应 ③隧道电流模型 伴随有界面复合作用在内的隧道复合过程。 ④界面态复合模型 Van Ruyven 1965年提出，考虑两种材料在界面态进行复合。 ⑤复合－隧道模型 隧道电流和热发射电流，且二者在界面态上汇合的复合隧道模型。 实际上，异质结往往同时存在多种电流机构，哪种机构为主将取决于界面上的能带不连续性和界面态参数情况。 主要用途：高效率的光电池、发光管和激光器等。 * * Principle of Semiconductor Devices 异质结的应用 异质结的主要应用之一是形成量子阱。它由两个异质结背对背相接形成的。 异质结的主要应用之二是形成超晶格。它由异质结交替周期生长形成。超晶格是Esaki和Tsu在1969年提出的。 Esaki等提出的超晶格有两类：1）同质调制掺杂；2）异质材料交替生长。 超晶格或多量子阱间的共振隧穿效应 * * Principle of Semiconductor Devices （1）开关整流二极管（pn结整流效应） （2）稳压二极管 （pn结击穿效应） （3）变容二极管（pn结微分电容效应） （4）PIN二极管（pn结耗尽特性） （5）隧道二极管 （pn结隧道效应） （6）发光二极管（pn结注入发光） （7）激光二极管（ pn结正向注入） （8）光电二极管（光伏型光电探测器） （9）碰撞电离雪崩渡越时间二极管碰撞 （pn结电离雪崩倍增效应） §2.7 几种典型二极管的应用 * * Principle of Semiconductor Devices （4）PIN二极管 * * Principle of Semiconductor Devices PIN二极管 电场分布： * * Principle of Semiconductor Devices PIN二极管 电场和电势表达式： 对于同样的工作电压, p-i-n二极管可以减小耗尽区的最大电场强度。 * * Principle of Semiconductor Devices （5）隧道二极管 (1) 隧道效应 (2) 隧道二极管的I-V特性 * * Principle of Semiconductor Devices ★ 隧道效应 隧道效应—能量低于势垒的粒子有一定的几率穿越势垒. 这是一种量子力学效应 隧穿几率与势垒的高度有关, 与势垒的厚度有关. 隧道二极管—利用量子隧穿现象的器件效应 * * Principle of Semiconductor Devices 隧道二极管— p-n结, 两边都是重掺杂(简并情况), 以至在p区, EF进入价带; 在n区, EF进入导带. 结果: ① n区的导带底部与p区的价带顶部在能量上发生交叠 ② 势垒十分薄 电子可以隧道贯穿势垒区. * * Principle of Semiconductor Devices 图6-29 * * Principle of Semiconductor Devices ★ 隧道结的I-V特性 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升,达到一个极大, (峰值电流Ip,峰值电压Vp ) 随后,电压增加,电流反而减少,达到一个极小,(谷值电流Iv,谷值电压Vv) 在Vp到Vv的电压范围内,出现负阻特性. 当电压大于谷值电压后,电流又随电压而上升 * * Principle of Semiconductor Devices 0点—平衡pn结 1点—正向电流迅速上升 2点—电流达到峰值 * * Principle of Semiconductor Devices 3点—隧道电流减少,出现负阻 4点--隧道电流等于0