导带底价带顶.pptVIP

The End * * 第七章 半导体电子论 * 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间. 良导体 半导体 绝缘体 电阻率 (Ω?cm) 10 -6 10-2 ~ 109 1014 ~ 1023 半导体和金属存在一个基本的差异: 金属的电 阻随温度降低而迅速减小, 半导体的电阻随温度趋 于绝对零度而升高.（为什么？） * 典型的元素半导体都具有金刚石结构, 而化合物半导体大多具有 ZnS 结构, 从而半导体具有共价结合的基本特征. 在绝对零度下, 纯净半导体都有全满的价带和全空的导带; 禁带宽度约为 1 eV. 半导体的导电性是由于热激发、杂质、缺陷等引 起的; 参与导电的电子和空穴称为载流子. * 半导体的能带结构 * 本征半导体 纯净的半导体称为本征半导体. 热激发可以把本征半导体的价带电子激发到导带从而产生载流子. 本征半导体内的载流子浓度取决于带隙的宽度和 温度: 带隙越小、温度越高, 热激发的载流子浓度就越大. 室温下, 只有少量电子能从价带激发到导带. * 通常称导带底和价带顶位于 k 空间同一点的半导体称为直接带隙半导体,而把导带底和价带顶位于 k 空间不同点的半导体称为间接带隙半导体. InSb 和 GaAs 等是直