局灶性痫性放电对脑性瘫痪患儿认知发育的影响-中国康复医学杂志.PDFVIP

ChineseJournalofRehabilitationMedicine, Jan.2015,Vol. 30, No.1 ·临床研究· 局灶性痫性放电对脑性瘫痪患儿认知发育的影响 向 上 李雪怡 冯雪菲 肖 农1 1 1 1,2 摘要 目的：研究局灶性痫性放电对脑瘫患儿认知发育的影响。 方法：回顾性研究伴痫性放电的脑瘫患儿脑电图结果，分析局灶性放电的分布特征；使用Gesell 量表对伴及不伴痫 性放电脑瘫患儿认知发育水平进行评估，并对发育商（DQ ）进行比较。 结果：71 例伴局灶性痫性放电脑瘫患儿的放电部位以脑前部为主，中央区比例最高，为17例（23.94%），其后依次为额 区（16例，22.54%）、颞区（12例，16.90%）、顶区（11例，15.49%）、枕区（8例，11.27%）以及前额（7 例，9.86%）；左右半球放 电比例无明显差异。伴局灶性痫性放电的患儿（总DQ ：42.09± 16.31 ，应人能：46.50±20.01、应物能：45.01± 17.69、粗大 运动能：33.21± 16.40、精细运动能：37.91± 16.60、言语能：47.81± 19.91）与无痫性放电患儿（总DQ ：55.91± 16.22 ，