EDI应用于半导体制造业水回用.doc

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EDI应用于半导体制造业水回用

EDI应用于半导体制造业水回用系统的评估 摘要: 半导体制造业中,为了减少用水量和废水排放量,水的回用是一个非常具有吸引力的选择。然而,制造业中冲洗水回用率达50%以上的系统通常需要包含回用水的预处理,这通常是用离子交换床将它转换成RO产品等级的水。同时,回用水也可用RO处理使之成为超纯水,但这需大容量的RO系统,可能引入的大量的硫酸盐(原水中有大量的钙盐),增加了设备的投资量,并且要排放达40%的废水。 EDI装置应用了电除盐和离子交换树脂,不需任何化学再生,已应用了很多年来代替离子交换工艺。它在这方面的应用已广为人知,正在出版很多文章来阐述它的优点。 制造业中冲洗水的性质并非广为人知,因此EDI在回用水中的应用也鲜为人知。然而,随着INTERNATIONAL SEMATSCH和SANDIA NATIONAL实验室的成果,人们增进了大量的对回用水的认识。依现在的观点,少量努力即可获得90%以上的水回收率,也就同时减少了水的用量和废水的排放量,并获得显著的投资节省。这篇论文论述了EDI应用于已采用离子交换处理回用水的系统中的结果。新的水回收率和经济性说明了应用这一技术的优越性。 导论: 很多年来,半导体工业中节水的努力集中在将超滤、反渗透和冲洗工艺中不可避免的费水用于洗涤塔、结晶器和园林灌溉。近来,制造业正在回用(返回制造工艺,而非简单的费水利用)更大量的水,因为这对降低设备投资具有重大影响。在精制系统中,水回用可降低水中杂质的含量,这有助于达到环保方面对供水方面的限制。 使人惊奇的是,决定是否对水进行回用却是非常困难的。对节水好处和不节水的弊端进行比较的资料非常贫乏。通常,提出的节水计划成了由过时的或不完整的财务管理制度所做出的决定的牺牲品。尽管很多DI水和工艺工程师胸有此志,但由于缺乏为推进项目所需要的费用判断而困惑。因此,迫切需要能够对投资显著回报的不可辩驳的结论。 此前,具更佳结果的节水方案限制在少数“上游”处(即用水的减少点)。方法之一是消除需延伸冲洗的强化学药品(如臭氧化的超纯水取代硫酸在蚀刻和冲洗工艺中的应用)。另外,利用喷雾技术进行化学和冲洗的办法取得了特别的成功。制造业中水流沉浸工艺中另一个得到应用的方法是优化冲洗。最后,最少有一家设备制造商具体实施了“极端优化冲洗”的原理。用合适的冲洗方法节水率可接近90%。 这里提出的“下游”端点技术补充了(而不是代替了)以上所有的节水方法。这项工作综述了初步的努力,认为EDI装置是一种高效、坚固和节能的方法,无论是改造旧的还是安装新的水回用系统。与现有的离子交换装置并列安装一套EDI装置,以便在重要的变量参数上进行比较。本文将对用EDI进行水回用的设备投资与没有回用的设备投资进行对比。 试验结果: A:选择: EDI装置以前并不是用于水回用系统。这一技术无一例外地作为水处理设备。EDI的研究和应用,主要或者特有地,是水的再生与水回收率的关系。例如,在98年9月举行的98超纯水会议上,有关EDI的论文论述的是降低在线仪表上所需纯水的电导率以及DI水的再生,主要在于去除TOC、硅和其它弱酸。几家EDI供货商的销售资料一般宣传的是EDI如何处理硼、硅、CFU菌落总数、TOC和二氧化碳,能使产水达到18MΩ·cm的超纯水质量。向潜在的EDI客户宣传其可代替离子交换床;二氧化碳、硅和其它离子的去除机理;取代离子交换床的设备投资和在发电厂的锅炉补给水方面的应用。 供给水,一般是反渗透产水,电导率通常低于5~6μS/cm。 首先,我们期望可接受电导率达250μS/cm的供水,我们认为此值能够允许95%的水回用率。据在我们工厂和其它厂的观察结果,这一电导率水平能够代表化学工艺所导致的平均结果。化学药品将得到足够的稀释以保持这一浓度,最初冲洗物的外移能够有助于保持EDI进水的电导率低于EDI装置所要求的上限。保持EDI设备有一定的能力裕量,在偶然发生的进水电导率升高的情况下,将部分产水回流至供水也有益于设备。 对应于需要承受如此高电导率的供水,幸运的是我们对EDI产水的要求仅比RO产水要好一些就行。产水标准定为大于或等于1mΩ·cm,而EDI在传统的除盐工艺中产水电阻率要求为15MΩ·cm。这一数值尽管低,也能够避免原有混床所需的再生次数的增长-这一增长有可能抵消水回用系统中的免再生的好处。 EDI的第三个要求是它能够容忍高浓度的硫酸和氟化物。有些冲洗工段产生很多氟化物。收集的冲洗水的污染物来自SPM(硫酸和双氧水的混合物)。当其作为EDI废水排放时,能够达到很低的PH值(考虑250μS/cm的硫酸和20:1的浓缩比例的双重作用)。 第四个要求是要处理的水量。水利用率要大于90%,出水能力10

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