最新电力电子器件教学课件PPT.ppt

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最新电力电子器件教学课件PPT

1-* 2.5.2 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件,工作频率与电力MOSFET相当,甚至更高,功率容量更大,因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点: 栅极不加信号时导通,加负偏压时关断,称为正常导通型器件,使用不太方便。 通态电阻较大,通态损耗也大,因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 SIT(Static Induction Transistor)——结型场效应晶体管 返回 1-* 2.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH是两种载流子导电的双极型器件,具有电导调制效应,通态压降低、通流能力强。 其很多特性与GTO类似,但开关速度比GTO高得多,是大容量的快速器件。 ?SITH一般也是正常导通型,但也有正常关断型。此外,电流关断增益较小,因而其应用范围还有待拓展。 SITH(Static Induction Thyristor)——场控晶闸管(Field Controlled Thyristor—FCT) 返回 1-* 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 20世纪90年代后期出现,结合了IGBT与GTO的优点,容量与GTO相当,开关速度快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路,但驱动功率仍很大。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争,试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor) ——GCT(Gate-Commutated Thyristor) 返回 1-* 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多个器件封装在一个模块中,称为功率模块。 可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。 对工作频率高的电路,可大大减小线路电感,从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为功率集成电路(Power Integrated Circuit——PIC)。 基本概念 1-* 高压集成电路(High Voltage IC——HVIC)一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路(Smart Power IC——SPIC)一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块(Intelligent Power Module——IPM)则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT(Intelligent IGBT)。 实际应用电路 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 1-* 功率集成电路的主要技术难点:高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成,成为机电一体化的理想接口。 发展现状 返回 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 1-* 图2-26 电力电子器件分类“树” 本章小结 主要内容 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 电力电子器件类型归纳 单极型:电力MOSFET 双极型:电力二极管、晶闸管、GTO、GTR 复合型:IGBT 返回 1-* 本章小结 特点:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。 电流驱动型:双极型器件。 特点:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路较复杂。 电压驱动型:单极型器件和复合型器件。 * 1-* 2.4.1 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件; 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断; GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,耐压和耐流可达6KV和6KA ,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO) 返回 1-* 2.4.1 门极可关断晶闸管 结构: 与普通晶闸管的相同点: PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件。 图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 1)GTO的结构和工作原理 返回 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 工作原理: 与普通晶闸管一样,可以用所示的双晶体管模型来分析。 晶闸管的双晶体管模型及其工作

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