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1-* 2.5.2 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 SIT（Static Induction Transistor）——结型场效应晶体管 返回 1-* 2.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。 其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。 ?SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 SITH（Static Induction Thyristor）——场控晶闸管（Field Controlled Thyristor—FCT） 返回 1-* 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor） ——GCT（Gate-Commutated Thyristor） 返回 1-* 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 基本概念 1-* 高压集成电路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 实际应用电路 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 1-* 功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 发展现状 返回 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 1-* 图2-26　电力电子器件分类“树” 本章小结 主要内容 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 电力电子器件类型归纳 单极型：电力MOSFET 双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR 复合型：IGBT 返回 1-* 本章小结 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 电流驱动型：双极型器件。 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂。 电压驱动型：单极型器件和复合型器件。 * 1-* 2.4.1 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件; 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断; GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，耐压和耐流可达6KV和6KA ，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 返回 1-* 2.4.1 门极可关断晶闸管 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 1）GTO的结构和工作原理 返回 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用所示的双晶体管模型来分析。 晶闸管的双晶体管模型及其工作