真空薄膜介绍辅仁大学物理系.doc

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真空薄膜介绍辅仁大学物理系

真空薄膜介紹 輔仁大學 物理系 凌國基老師 真空薄膜介紹 一、「真空」是什麼 在一個空間內,如果其氣壓低於一個大氣壓的氣體狀態,即稱為真空。任何一個罐子,我們抽一些氣體出來,裡面的氣壓比外面低,這時候我們就稱之為「真空」,因此,真空是很容易得到的。人類至今尚未在宇宙間找到絕對真空的地方,科學家也沒有造出一個壓力等於零的空間。 真空的單位 1托耳(torr)=1/ 760大氣壓力=1毫米水銀柱壓力 1巴(millibar)=3/ 4托耳 1大氣壓=1013巴 平均自由徑(mean free path) 氣體分子在運動時,各個分子在碰撞到其他分子前,所行走之距離的平均值稱為氣體的平均自由徑(mean free path),通常以符號「λ」表示之,單位為公分。 在常溫20℃時(溫度越高,分子運動速度越快) 6.45 ×10 -3/ P 公分 P:單位為豪巴 5 ×10 -3/ P 公分 P:單位為托耳 壓力 平均自由徑 1×10 -3 torr 5cm 1×10 -4 torr 50cm 1×10 -5 torr 5m 1×10 -6 torr 50m 1×10 -7 torr 500m 1×10 -8 torr 5km 1×10 -9 torr 50km 1×10 -10 torr 500km 表.1、氣壓單位為torr之各種壓力範圍之平均自由徑 從表一-2.1可知,1×10 -10 torr的平均自由徑為500公里,那為什麼需要用到1×10 - 10 torr,500公里呢?當我們做的是加速器碰撞的時候,如果裡面的分子走了1公里就會撞到其他分子,那永遠達不到我們所要的速度;所以加速器就需要幾十公里的平均自由徑,也就是說加速器內部需要抽到1×10 -10 torr這麼低的真空度。例如同步輻射儀所需的工作氣壓約為1×10 -12 torr,其平均自由徑為5萬公里,也就是大概跑了5萬公里才有一半的機率會產生碰撞。氣體撞擊率 「氣體撞擊率」是指,單位時間內,氣體分子撞擊在單位面積上的分子數。 =3.5 ×10 22 [P/] M:分子量 T:絕對溫度(°K) P:壓力(托耳,torr) 在常溫20℃時, =3.8 ×10 20 P 分子/公分2 ·秒 =3.8 ×10 6 P 分子/nm2 ·秒 1nm(奈米)=10 ? 1cm=10mm=107nm=108 ? 假設在常溫20℃下,某種金屬的lattice constant3 ?=0.3nm,其平面上平均一個分子所佔的面積大約為0.1nm2,空氣分子打到固體上一個分子的氣體撞擊率為 =3.8 ×10 5 P 分子/秒 ※「lattice constant」是指,某種物質其組成分子間的最短晶格距離。 壓力 平均撞擊率 1×10 -3 torr 380次/秒 1×10 -4 torr 38次/秒 1×10 -5 torr 3.8次/秒 1×10 -6 torr 0.38次/秒 1×10 -7 torr 23次/分 1×10 -8 torr 2.3次/分 1×10 -9 torr 0.23次/分 1×10 -10 torr 1.38次/小時 表一-3.1、0.1nm2面積(大約一個分子所佔的面積)被氣體撞擊的撞擊率與氣壓的關係表 我們在鍍金屬膜的時候,不可能完全抽到真空,裡面還會剩下氣體,當我們抽到1×10 -7~1×10 -9 torr 的時候裡面剩下的大部分是水氣,到了1×10 -12 torr以下大部分是氫氣,所以在我們大部分可以處理的範圍,剩下的氣體都是水氣。 由表一-3.1可知,當我們抽到1×10 -8 torr的時候,每分鐘水分子會撞到金屬小面積是2.3次,如果是1×10 -9 torr是0.23次,如果是1×10 -10 torr每小時大概只撞到1次。水分子撞到金屬1次不見得會氧化,但是如果撞到很多次就會氧化了。而我們在鍍金屬時,希望的是沒有氧化物的產生,例如鍍銅的時候如果因為有水氣而產生氧化銅,那電阻就會增大。 用濺鍍的方法鍍銅很快,假設鍍膜時間5分鐘,我們鍍的厚度是1000?,而1000??則表示大約有300層;如果我們鍍的時候背景壓力為1×10 -10 torr,由表一-3.1可之,這時候1小時的平均撞擊率為每小時1.38次。 ( 由此可知,當我們鍍300層,平均撞擊率約為0.1次,那產生氧化物的機率就更小了。 那如果有一個人比較偷懶,抽到1×10 -6 torr就開始鍍膜,從表一-3.1可知其平均撞擊率為每秒

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