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第七章 外延 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的单 晶薄膜的工艺技术。 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片：生长了外延层的衬底硅片。 应用 ①双极器件与电路： 轻掺杂的外延层——较高的击穿电压； 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 ②CMOS电路： 避免了闩锁效应：降低漏电流。 绪论 外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺； 液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延； 固相外延（SPE）：离子注入退火过程； 分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy） ②按材料分类 同质外延：外延层与衬底的材料相同，如 Si上外延Si，GaAs上外延GaAs； 异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如 Si上外延SiGe 或 SiGe上外延Si； 蓝宝石上外延Si-- SOS(Silicon on Sapphire)； 蓝宝石上外延GaN、SiC。 ③按压力分类 常压外延：100kPa ； 低压（减压）外延：5-20kPa。 7.1 硅气相外延的基本原理 7.1.1 硅源 ① SiCl4 采用传统的高温工艺 ② SiHCl3 ③ SiH2Cl2 采用现代的低温工艺 ④ SiH4 新硅源Si2H6 7.1.2 外延生长模型 生长步骤 ①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面； ②吸附：反应物吸附在Si表面； ③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物； ④脱吸：副产物脱离吸附； ⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室； ⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上，延续衬底晶向； 生长特征：横向二维的层层生长。 7.1.3 化学反应—H2还原SiCl4体系 生长总反应：SiCl4 + 2H2 Si(s)+4HCl(g) 气相中间反应：SiCl4 + H2 SiHCl3+HCl SiCl4 + H2 SiCl2+2HCl SiHCl3+ H2 SiH2Cl2+HCl SiHCl3 SiCl2+HCl SiH2Cl2 SiCl2+H2 吸附生长：SiCl2(吸附)+ H2 Si(s)+2HCl (硅的析出反应) 或 SiCl2 (吸附) Si(s) + SiCl4 (硅的析出反应) 腐蚀反应：SiCl4+ Si(s) 2SiCl2 7.1.4 生长速率与温度的关系 7.1.5 生长速率与反应剂浓度的关系 7.1.6 生长速率v与气体流速U的关系 SiCl4外延温度：1200℃，输运控制； 边界层厚度：δ（x）=（μx/ρU)1/2 ； 故，v随U的增大而增加。 7.2 外延层的杂质分布 外延掺杂的特点：原位掺杂； 外延掺杂的优点：掺杂浓度可精确控制；突变 型分布。 分布偏离： ①自掺杂效应---衬底杂质蒸发进入边界层； ②扩散效应---衬底与外延层杂质相互扩散。 7.2 外延层的杂质分布 7.2.1 掺杂原理 ①淀积过程(与外延相比) 相似：输运控制和反应控制 不同：动力学性质 ②掺入效率：与T、v、U以及杂 质剂的摩尔分数等有关。 ③掺杂源：B2H6、PH3、AsH3。 7.2.2 扩散效应 扩散效应：衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界 面处杂质再分布； 杂质扩散：满足菲克第二定律--扩散方