MW7IC3825GNR1;MW7IC3825NBR1;MW7IC3825NR1;中文规格书,Datasheet资料12.pdfVIP

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2018-05-02 发布于贵州
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MW7IC3825GNR1;MW7IC3825NBR1;MW7IC3825NR1;中文规格书,Datasheet资料12.pdf

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MW7IC3825GNR1;MW7IC3825NBR1;MW7IC3825NR1;中文规格书,Datasheet资料12

Freescale Semiconductor Document Number: MW7IC3825N Technical Data Rev. 1, 11/2010 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 The MW7IC3825N wideband integrated circuit is designed with on--chip matching that makes it usable from 3400--3600 MHz. This multi--stage MW7IC3825NBR1 structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats. • Typical WiMAX Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA, Pout = 5 Watts Avg., f = 3600 MHz, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4 , 4 Bursts, 3400--3600 MHz, 5 W AVG., 28 V 10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability WiMAX on CCDF. RF LDMOS WIDEBAND Power Gain ó 25 dB INTEGRATED POWER AMPLIFIERS Power Added Efficiency ó 15% Device Output Signal PAR ó 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF ACPR @ 8.5 MHz Offset ó --48 dBc in 1 MHz Channel Bandwidth Driver Applications CASE 1886--01 • Typical WiMAX Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 190 mA, IDQ2 = 230 mA,