激光器件第11章半导体激光器的基本构型.ppt

11.1.1 异质结的构型和主要性质　　1. 异质结的结构　　如图11.1所示，图(a)为同质结，图(b)为单异质结，其中包括一个同质结； 图(c)为双异质结，GaAs为有源层，GaAlAs为限制层。 　　2) 超注入现象　　如图11.2所示是P-GaAs和N-GaAlAs异型异质结正向偏压较大时的能带图。 　　3) 对载流子的限制作用　　载流子的泄露与温度密切相关，主要是有源区电子向P型限制层导带的扩散，有源区空穴向N型限制层的扩散。从图11.3所示N-GaAlAs/P-GaAs/P-GaAlAs双异质结的能带(图(a))、折射率分布(图(b))和光场分布(图(c))，可以看出从N-GaAlAs限制层注入P-GaAs有源区的电子将受到P-P 异质结势垒的限制，大大提高了注入电子的利用率，同时也将大大减小电子的热运动弥散。 　　5) 窗口效应　　两种禁带宽度Eg不同的材料组成异质结后，从对入射光的光谱特性来看，宽带隙半导体就成了窄带隙半导体的“输入窗口”。　　如图11.5所示的异质结由带隙分别为Eg1和Eg2的材料组成，且Eg1Eg2。 11.1.2 单异质结激光器　　单异质结激光器在1969年研制成功。 　　1. 单异质结激光器的工作原理　　如图11.6(a)所示是正向偏压下单异质结激光器的工作原理。  　　2. 阈值条件　　室温下单异质结激光器的阈值电流密度Jth与有源区宽度d的关系如图11.7所示，表明有源区宽度存在一个最佳值，当d≈2 μm时，Jth最低。 　　图11.8所示为单异质结激光器的阈值工作电流密度Jth与腔镜反射率R的关系，图中上、下两条斜线分别对应α=33 cm-1、β=38×10-3 cm·A-1和α=24 cm-1、β=39×10-3 cm·A-1。 11.1.3 双异质结激光器　　这种激光器为四层结构，即N-GaAs衬底和三层外延生长层。在N-GaAs衬底上外延生长N-Ga1-xAlxAs 层，其x取值范围为0.1~0.5，在N-Ga1-xAlxAs层上外延生长P-GaAs层(也可以是N-GaAs)，在P-GaAs层上外延生长P-Ga1-xAlxAs层，如图11.10所示，有源层夹在具有宽带隙和低折射率的限制层之间，以便在垂直于结平面的方向上有效地限制载流子和光子。  双异质结激光器的工作原理如图11.11(a)所示。 　　双异质结半导体激光器的阈值电流密度Jth与有源层厚度d的关系如图11.12所示，表明有源区宽度存在一个最佳值，当d≈0.15 μm时，Jth最低。当d超过此值后，Jth随d的增大而线性增加。 11.1.4 条形结激光器 双异质结半导体激光器成功地解决了在垂直于结平面方向对载流子和光子的限制问题。这一类有源区具有限制机构的激光器统称为条形激光器，结构示意图如图11.13所示。 11.2.1 量子阱　　在通常块状(常称为体材料)有源层内(厚度在0.1~0.15 μm之间)，对于注入的载流子来说，其散射时间太短，宛如在无限大的晶体材料中，因此导带和价带仍是连续的，其态密度仍是如图11.14(a)所示的抛物线。 　　量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间形成的，如图11.15(a)所示为单量子阱能带。　　窄带隙与宽带隙超薄层交替生长就能构成多量子阱(MQW)，如图11.15(b)所示。　　在MQW中，如果各阱之间的电子波函数发生一定程度的交叠或耦合，则这样的MQW也就是超晶格，宛如晶体中原子周期性有序排列一样。 　　其中第一项为电子抛物线能量分布。第二项为量子化能量，它在阱底为零，辐射复合发生在导带与价带具有相同量子数n(n=0, 1, 2, …)的子带之间(跃迁选择定则)，如图11.16所示。 　　为改善单量子阱激光器性能，办法是采用如图11.17所示的分别限制单量子阱(SCH-SQW)结构或采取图11.15(b)所示的多量子阱结构。采用多个量子阱组成有源层时光限制因子明显提高。图11.17(a)为漏斗型，图11.17(b)为阶梯型。 　　单量子阱激光器的结构基本上就是把普通双异质激光器的有源层厚度做成数十纳米的激光器。典型结构参数： 腔长为120 μm，有源区厚度为20 nm，阈值电流为0.55 mA。多量子阱(MQW)激光器结构如图11.18所示。 11.2.3 应变量子阱激光器　　在异质结和量子阱激光器研究初期，人们都是以寻求晶格常数匹配的材料及完善工艺为目标，这样才能减少晶格失配引起的应变和位错，减少表面态密度(复合中心)。 　　引入适当的应变将会改变材料的重要性质，如晶格常数、能带结构、垂直输运的有效质量和态密度等。以InxG