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磁控溅射法制备cds/cd1-xznxte薄膜及其太阳能电池
宽度与实验值接近,消除了Cdl-xZnxTe材料在电子结构计算中禁带
宽度被低估的问题;赝势U的加入增加了轨道电子数目,电子的能级
发生分裂,吸收谱图和折射谱图中的峰强增加,峰数减少。
关键词:CdZnTe,太阳能电池,磁控溅射,第一性原理
II
ofCdS/CdZnTethinfilmandsolarcell
Preparation by
method
magnetronsputtering
ABSTRACT
TheCdZnTematerialhas suchas
manyadvantageshighabsorption
bandandSOon.Itcanbeusedforthe
coefficient,width materialof
gap
the ofthinfilmsolarcells.Inthis use
absorptionlayer paper,we
method CdZnTe filmandCu
magnetronsputteringprepare film,CdSe
filmfor
CdZnTesolar influenceofthedifferent
cell,explore preparation
onthe ofsolarcells.
processperformance
Inthis CdS electrodeon
paper,wepreparefilms,CdZnTefilms,Cu
thesubstrateRF tobulid thin
by magnetronsputteringCdZnTefilm
solarcell
structure.UsingX-ray
visible force
spectrophotometer(UV-VIS),atomic
test
semiconductorandothertest onthestructureand
system equipment
ofthin the
influenceofdifferent
propertiesfilm,study process
parameters
onthe ofsolar
cells.Theresultsshow
performance that:preparedgood
ofthinand
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