多孔硅制备工艺及其在硅太阳能电池上的应用.pdfVIP

摘要 全球化的能源危机和环境危机日益成为人类可持续发展的障碍。太阳能作为 一种取之不尽的清洁可再生能源，越来越受到人们的重视，特别是太阳能发电， 已成为重要的能源供给方式和新兴技术密集型产业。晶体硅太阳电池因其性能稳 定，成本较低而成为光伏市场主流，但是光伏的进一步推广应用依赖于电池效率 的提高和成本的降低，这也是目前太阳电池的主要研究方向。 为了降低成本，电池片薄片化是目前晶体硅太阳电池的发展趋势，但是电池 片变薄要求硅片具备更好的光吸收性能。硅片表面的陷光结构需要更好的设计以 降低可见光光反射率。本文采用银纳米颗粒催化腐蚀的方法，在电池片表面制备 多孔减反射结构，并采用碱刻蚀工艺对多孔硅结构进行修正，最后制备成多孔陷 光太阳电池，取得了以下主要创新成果： (1)考察了银纳米颗粒尺寸、腐蚀时间等条件对硅片多孔硅结构和表面光 反射率的影响。研究发现在室温下多孔硅制备的反应时间在3-6II】i13．为最合适的 工艺区间，所获多孔结构陷光效果较好。随着反应时间的增加，表面平均光反射 率呈现出先降低后增加的趋势。 (2)多孔硅结构起到了较好的减反射效果，但表面积的增加会导致少数光 生载流子在硅片表面的复合，需要对表面进行钝化处理。本文采用氢氧化钠溶液 刻蚀修正多孔硅结构的方法，考察了碱浓度和刻蚀时间对表面少子寿命的影响， 获得最佳的工艺参数。同时我们提出了增加超薄Si02膜钝化硅片表面的方法， 具体包括热氧化和臭氧水钝化。通过优化工艺参数，获得了全面积电池原型器件 (156cm×156 cm)，其光电转换效率达18．35％。 (3)11型晶硅太阳电池具有比P型更高的转换效率，但多孔硅结构应用于n 型太阳能电池更具优势，只是常规n型电池工艺复杂，成本较高。本文中提出了 一种新的11型多孔硅太阳电池结构，即n+np多孔硅太阳电池。该结构既有较好 的减反射效果，又有效解决了多孔硅制备带来的金属杂质和表面复合等问题，此 外其制备工艺与现有的P型太阳电池生产工艺完全兼容，适合大规模生产。最终 我们得到了光电转换效率达17．7％的全面积太阳电池原型器件。 关键词：银纳米颗粒、减反射、多孔硅、太阳能电池、刻蚀修正 万方数据 lI 万方数据 Abstract Global andenvironmentalcrisisare serious forthe energy becomingchallenges sustainable ofhuman whichisendlessand development beings．Solarenergy environmentalis moreand／rlore thesolar hasbecome attention,and attracting power an andanew important industry．Sofar, energyprovidingproach technology-intensive thesiliconsolarcellshavemadethe ofthemarketduetoitslow up largemajority