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2.4 介质中的高斯定理与静电场的边界条件
* 2.4 电介质中的环路定理和高斯定理 从场强的计算来说,需要补充和附加有关电介质极化性质的已知条件才能克服这一困难 和 相互牵扯,难于测量和控制,通常是未知的 电介质中的高斯定理 电介质中的安培环路定理 电位移矢量 定义辅助物理量——电位移 则有 有电介质时的高斯定理 及 由 有电介质时的高斯定理 任意闭合曲面的电位移通量或电通量,等于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和。 得微分形式: 由 ?e 是自由电荷的体密度 之间的关系 相对介电常数 介电常数 利用电位移概念重解例3:平行板电容器,极板面积S,间距为d,充有各向同性均匀介质,求充介质后的电场 解:取柱状高斯面如图 金属内,E=0,D=0,故仅有位于介质内的底面有通量 静电场的边界条件 两种各向同性的均匀介质, 并设分界面处无自由电荷 取圆柱形高斯面,上下底面积为ΔS ,高为h,且h→0 法向分量 即 或 由高斯定理: *
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