半导体光电化学-IV10.pptVIP

新型纳米半导体材料 纳米材料的种类和特性 半导体纳米材料 半导体纳晶颗粒 半导体纳晶颗粒薄膜 染料敏化半导体纳晶电池 Nanoparticles: A Very Broad Class 临界尺寸 (in nm) 半导体纳米超微粒材料 纳米超微粒：　尺寸在1-50nm的材料 　　　　　　　性能不同于体材料 量子限域效应：载流子，激子运动受限 表面效应：　　处于表面的原子比例增加 形状效应：　　外型影响性能 其他效应： Reduced Dimensionality 量子尺寸效应（量子限域效应） 微粒的尺寸≤半导体激子的波尔(Bohr)半径 载流子的运动在三维空间受限（限域） 能隙Eg增加 导带和价带产生分离的电子能态－能级量子化 出现了与半导体体材料不同的光学和电学性能 激子：电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能越迁，但因能量不够，不能导带成为自由电子。电子与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。 激子的玻尔半径 rB=h2ee0/(e2m*) m*:载流子的有效质量，载流子与晶格相互作用 e：半导体的介电常数 波尔半径与半导体材料的介电常数和有效质量大小有关， CdS： 3nm, CdSe： 5.4nm,ZnSe：4.5nm 不同波尔半径使纳米超微粒产生量子效应的临界尺寸不同 有效质量模型 紧束缚模型 尺寸变化对能级结构的影响 半导体尺寸与能隙的关系 有效质量模型 紧束缚模型（ETBM） 分子轨道计算模型 ZnSe Nano materials in labeling High throughput multiplexed assays (‘nano bar code’) Optical tracking on a cellular level with tagged CdSe quantum dots: which gene is active? 表面效应 半导体纳米超微粒随着粒子尺度的减小，粒子内所包含的原子数目也相应减小，表面原子所占的比例却增大。 由于表面原子与内部原子所处的环境不同，因此显示的性质与大块晶体不同 形状效应 纳米超微粒的结构外形与粒子尺寸密切相关，如3－10nm 多呈球形或椭球状，20－100nm具有不规则的晶体惯习面。 通过特殊的方法还可制成不同形状的材料如铅笔型，箭头型 不同外形的粒子具有不同的物理性能 Different CdSe nanostructures 其他光电及催化的异常性能 氧化还原性能的变化 高量子产率 快速的界面电荷传递，光生电子复合速度小 半导体纳晶多孔薄膜 　纳米尺寸的半导体超微粒子烧结而构成的粒子相互连接所形成的三维网络多孔结构 单粒子的能级量子化 微结构的影响 无空间电荷层 本征导导率 电子输运 光散射特性 单纳米粒子的量子化效应 纳晶多孔的微结构 薄膜具有比体材料薄膜大上千倍的比表面，其采光效率高，电解液通过多孔渗　透产生很大的接触界面，有利于界面电荷的传递 孔径 比表面和多孔率 纳晶尺寸 薄膜厚度 调节微结构参数对体系的光电性能进行优化 空间电荷层 本征导电性 掺杂浓度低平均每个颗粒不到一个杂质 其导电类型由动力学因素决定 空穴先反应：N型 电子先反应：P型 电子输运特性 微粒子中心至表面的电位差至少为50mv 才能使电子在电场作用下，以迁移方式输运，纳晶晶粒中心至表面的电位差只有0.3mV （TiO2） 因此，电子在纳晶多孔薄膜中的输运不是电场下的迁移机制，而是在电子浓度梯度驱使下的扩散机制。 薄膜中存在大量的晶界使电子输运中不断发生散射，散射的增加导致输运速度降低，因此电子的输运特性是影响薄膜光电性能的关键因素。 染料敏化电池 1873年，德国HermanVogel发现用染料处理?的卤化银可以大大扩展其对可见光的反应能力 1887年，J．Moser在卤化银电极上涂上赤藓红证实了光电现象，并将染料增感概念从照相术引入到光电效应中 1949年，Putzeiko和Trenin首次报道了有机光敏染料对宽禁带氧化物半导体的敏化作用，观察到可见光的光电效应，从此，染料敏化半导体成为该领域的研究热门 1964年，Namba和Hishiki提出的有机染料在照相术和光电转换体系中的敏化作用机制相同 六十年代Gerischer，Tributsch，Meier及Memming等系统地研究光诱导的有机染料与半导体间的电荷转移反应，得出染料吸附在半导体上并在一定条件下产生电流的机理 八十年代L－B膜技术的发展，染料－给体－受体多元分子的设计合成 九十年代Graetzel提出纳晶敏化电池的概念 半导体的染料的敏化 半导体与染料的能级关系 染料的超敏化和天线 染料敏化电池工作原理（电子注入） 吸附在半导体表面上的染料吸收光能，电子从H