《微机原理与接口技术》第5章半导体存储器用其接口.pptVIP

第5章 半导体存储器用其接口 5.2.5 闪速存储器(Flash Memory) FLASH Memory是一种快擦写型存储器，这种器件沿用了EPROM的简单结构和浮栅／热电子注入的编程写入方式，又兼备了EEPROM的可电擦除特性，更重要的是它可在联机条件下，即在计算机内进行擦除、改写，故可作为非易失的RAM使用。 第5章 半导体存储器用其接口 按擦除和使用方式分类 整体擦除闪速存储器 对称型块结构闪速存储器 带自举块闪速存储器 第5章 半导体存储器用其接口 5.2.6 存储器与微处理器的接口 设计主要考虑： 系统模式 速度匹配与时序控制 数据通路匹配 相关的控制信号 第5章 半导体存储器用其接口 (1) 系统模式 第5章 半导体存储器用其接口 (2) 速度匹配与时序控制 同步方式访问：插入Tw周期 异步方式访问：使用Ready信号 (3) 数据通路匹配 数据总线一次能并行传送的数据位数，称为总线的数据通路宽度，常见的有8位、16位、32位、64位等。 第5章 半导体存储器用其接口 (4) 相关控制信号 至少需要考虑：CS、RD、WR。 第5章 半导体存储器用其接口 5.3 存储器的组织与容量扩展 当单个存储芯片的容量不能满足系统要求时，需多片组合起来以扩展字长(位扩展)或字数(字扩展)或字位全扩展。 5.3.1 位扩展 在位数方向扩展(加大字长)，使芯片的位数与系统要求位数相一致的。 第5章 半导体存储器用其接口 第5章 半导体存储器用其接口 5.3.2 字扩展 用多片存储芯片构成一个容量较大的存储器。 例： CPU 8088，若用2K×8位芯片构成8K×8位存储模块，在系统中的地址为2K～10K-1。 第5章 半导体存储器用其接口 CS A10 ～0 2K×8 WE D7 ～0 设计步骤： ① 需要芯片：4片 ? 需要多片存储芯片？ ? 片选信号CS如何连接？ ② CS信号：与M/IO、A19～A11有关 ? 地址A10 ～0信号如何连接？ ③ 地址信号A10～A0 ：与CPU同名信号对应连接 ? 地址D7 ～0信号如何连接？ ④ 地址信号D7～A0 ：与CPU同名信号对应连接 ⑤ WE ：与CPU的WR连接 第5章 半导体存储器用其接口 CS A10 ～0 2K×8 WE D7 ～0 CS A10 ～0 2K×8 WE D7 ～0 CS A10 ～0 2K×8 WE D7 ～0 CS A10 ～0 2K×8 WE D7 ～0 译码电路 A19～11 M/IO A10～0 D7～0 WR * * 【本章主要内容】 存储器的分类 半导体存储器的原理 存储器扩展方法 微机的其它内部存储器 第5章 半导体存储器用其接口 第5章 半导体存储器用其接口 5.1 存储器概论 CPU Memory IDE接口 硬盘 内存：速度快、容量小 外存：速度慢、容量大 第5章 半导体存储器用其接口 5.1.1 存储器分类 1. 按用途分类 主存储器 辅助存储器 2. 按存储介质分类 半导体存储器 磁表面存储器 光盘存储器 第5章 半导体存储器用其接口 3. 按存取方式分类 随机存取存储器RAM 顺序存取存储器SAM 直接存取存储器DAM 只读存储器ROM 第5章 半导体存储器用其接口 5.1.2 存储器系统的层次结构 CPU 主存储器 冯·若依曼计算机体系结构 辅助存储器 解决大容量低成本矛盾 Cache 解决CPU与主存与速度不匹配的矛盾 第5章 半导体存储器用其接口 5.1.3 主存储器的基本组成 第5章 半导体存储器用其接口 5.1.4 存储器的主要性能指标 2. 速度 存取周期，指对存储器进行连续读或写的最短时间隔隔。 1. 容量 1KB = 1024字节 1MB = 1024KB 1MB = 1024KB 第5章 半导体存储器用其接口 5.2 半导体存储器及接口 静态随机存储器 动态随机存储器 半导体存储 随机存储器 只读存储器 第5章 半导体存储器用其接口 5.2.1 静态存储器及接口 1. 存储单元电路 假设要将“1”存储在该单元中 1 0 1 1 1 0 第5章 半导体存储器用其接口 2. 静态RAM的组成 第5章 半导体存储器用其接口 5. 静态RAM的读/写过程 第1步 第2步 第3步 第5章 半导体存储器用其接口 静态存储器(SRAM)的特点： (1) 无需进行数据的刷新，外围电路简单。 (2) 速度快。 (3) 管数较多，成本高。 (4) 功耗大，双稳态触发器中始终有一个MOS管导通。 第5章 半导体存储器用其接口 4. 静态RAM芯片举例 第5章 半导