官方说明书FAIRCHILD FQPF33N10L 数据手册.pdf

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2018-05-05 发布于浙江
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FAIRCHILD FQPF33N10L handbook /file/2556860 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2556860 现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯，精彩尽在鼎好! L 0 1 September 2000 N 3 3 TM F QFETQFET P QFETQFET Q FQPF33N10L F 100V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 100V, RDS(on) = 0.052Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 30 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has been especially tailored to • Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching • 100% avalanche tested performance, and withstand high energy pulse in the • Improved dv/dt capability avalanche and commutati