微电子器件原理与设计.ppt

微电子器件原理与设计 一、肖特基势垒二极管 二、变容管的结构 三、pin二极管的结构 四、阶跃管的结构 五、雪崩二极管的结构 单边突变结的电场分布如图所示，当最大电场达到Ec时，pn结将发生雪崩击穿。 如果pn结外延层足够厚，以致发生雪崩击穿时势垒区仍在外延层内，则雪崩击穿电压即为图中三角形面积。 如果pn结外延层比较薄， 以致发生雪崩击穿时势垒区已穿通外延层，此时势垒区宽度受到限制，则雪崩击穿电压即为图中梯形面积。 通过对面积的计算，得 这说明，在外延层厚度小于雪崩击穿时的势垒厚度时，雪崩击穿电压下降。并且，外延层厚度越小，雪崩击穿电压也越小。 为了防止外延层出现穿通以致于使雪崩击穿电压下降，外延层厚度必须大于雪崩击穿时势垒区宽度和结深之和。即 扩散结的结深 采用平面工艺制造的pn结，在杂质通过二氧化硅窗口向体内扩散同时，也沿表面方向横向扩散，其扩散深度与纵向近似相同。 因此，扩散结的底部是一个平面，而其侧面则近似为1/4圆柱形曲面，这部分称为柱面结；如果二氧化硅窗口中有尖锐的角，则尖角附近的形状近似为1/8球面，称为球面结。 球面结 平面结 柱面结 在杂质浓度、结深和反向偏压相同条件下，平面结，柱面结和球面结空间电荷区的电场分布如图所示。 球面结 平面结 柱面结 因为反向偏压相同，平面结，柱面结和球面结电场分布曲线下面的面积相等，但是空间电荷区的厚度不同，球面结最小而平面结最大，因此球面结的最大电场大于柱面结、大于平面结。又由于碰撞电离率随电场强度的增加而快速增大，因此球面结的击穿电压小于柱面结、柱面结击穿电压小于平面结击穿电压。 对于浅扩散结，相应的柱面结和球面结曲率半径较小，引起的电场集中效应比较明显，因此，击穿电压下降的特别显著。 为了减小结深对pn结击穿电压的影响，可采用以下措施： * 深结扩散 通过增加扩散结深度，使柱面和球面的曲率半径最大，导致电场集中效应减弱，从而提高雪崩击穿电压。 * 磨角法 将电场集中的柱面结和球面结磨去，形成台面pn结。 * 采用分压环 在pn结(主结)周围增加环状pn结(环结)，二者同时扩散且间距较小。当反向偏压低于击穿电压时，主结与环结空间电荷区相连，若进一步增加反向偏压，所增加的电压将由环结承担，故称为分压环。 （3）表面状态的影响 在二氧化硅层中，一般都含有一定数量的正电荷（如Na离子等），它们产生的表面电场作用于半导体表面，从而改变pn结在表面附近的电场分布，影响pn结的击穿电压。 对于p+n结，氧化层中的正电荷将会在n型半导体表面感应出负电荷，从而使表面处n区势垒宽度变薄，导致击穿电压下降。 对于pn+结，氧化层中的正电荷将会在p型半导体表面感应出n型层。扩散的n+与表面反型层相连，造成沟道漏电。 + + + + - - - - - - - - - - （4）温度的影响 pn结雪崩击穿电压的经验公式只适合于室温。一般地，雪崩击穿电压与温度有关。随着温度增加，半导体的晶格振动加强，载流子与晶格碰撞损失的能量也增加，从电场积累能量的速率就会变慢，因此，要达到发生能碰撞电离的动能就需要更强的电场。 所以，雪崩击穿电压随着温度的升高而增大，通常用温度系数表示 根据量子理论，能量低于势垒高度的电子可以一定概率穿过势垒，这种现象称为隧道效应。隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入导带所引起的一种击穿现象。 大反向偏压下，pn结的能带结构如图所示。 二、pn结的隧道击穿 e(VD-V) XD d Eg Eg 由于隧道击穿最初是由齐纳在解释电介质击穿时提出的，故又称为齐纳击穿。 1.隧道击穿 随着反向偏压增大，势垒区能带的倾斜越大，导带与价带的水平距离变窄。 一般地，p区的价带电子必须具有Eg能量才能从A点被激发到C点，然后漂移到B点如图所示。 但是，根据量子理论，当Δx足够小时， e(VD-V) XD d Eg Eg A B C A点的电子通过隧道效应直接到达B点，其概率为 式中 发生隧道击穿时的反向偏压，称为隧道击穿电压（齐纳击穿电压）。 上式说明：对一定的半导体材料，势垒区的电场E越大，或隧道长度Δx越，则电子穿过隧道的概率越大。当电场大到一定程度，或隧道长度短到一定程度时，将使p区价带中大量电子穿过势垒而到达n区导带中，使反向电流急剧增大，于是pn结发生隧道击穿。 可知，当势垒区较宽时，或杂质浓度、杂质浓度梯度较小时，容易发生雪崩击穿。反之，重掺杂则容易发生齐纳击穿。 2.隧道击穿与雪崩击穿 （1）势垒区宽度 由雪崩击穿和隧道击穿条件 实验表明：对于重掺杂的锗、