第5章图像传感器2.pptVIP

5.1 固态图像传感器 固态图像传感器(solid state imaging sensor)是指在同一半导体衬底上生成若干个光敏单元与位移寄存器构成一体的集成光电器件,其功能是把按空间分布的光强信息转换成按时序串行输出的电信号。 CCD —电荷耦合器件(charge coupled device)是其中应用最广泛的一种。 电荷注入方法 面阵型CCD图像传感器 3、 CCD图像传感器的特性参数 光电转移效率 总转移效率 分辨率 分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力，是图像传感器最重要的特性，主要取决于感光单元之间的距离 灵敏度及光谱响应 单位发射照度下，单位时间、单位面积发射的电量： 动态范围 饱和曝光量和等效曝光量的比值称为CCD的动态范围。CCD器件的动态范围一般在103～104数量级。 暗电流 暗电流起因于热激发产生的电子-空穴对，是缺陷产生的主要原因。光信号电荷的积累时间越长，其影响就越大。 暗电流的产生不均匀，在图像传感器中出现固定图形，暗电流限制了器件的灵敏度和动态范围，暗电流大的地方，多数会出现暗电流尖峰。 暗电流与温度密切有关，温度每降低10℃，暗电流约减小一半。 对于每个器件，产生暗电流尖峰的缺陷总是出现在相同位置的单元上，利用信号处理，把出现暗电流尖峰的单元位置存贮在PROM(可编程只读存贮器)中，单独读取相应单元的信号值，就能消除暗电流尖峰的影响。 噪声 CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。 噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。 5.3 典型应用实例 尺寸自动检测 大尺寸物体光学成像 感光单元和存储单元交替排列。在感光区光敏元件积分结束时，转移控制栅打开，电荷信号进入存储区。随后，在每个水平回扫周期内，存储区中整个电荷图像一次一行地向上移到水平读出移位寄存器中。接着这一行电荷信号在读出移位寄存器中向右移位到输出器件，形成视频信号输出。这种结构的器件操作简单，但单元设计复杂，感光单元面积减小，图像清晰。 目前，面阵CCD图像传感器使用得越来越多，发达国家所能生产的产品的单元数也越来越多，高端数码相机最多已超过4096×4096像元，我国主流家用数码相机的面阵CCD图像传感器已经达到500万～1000万像素。 * 安徽工程大学电气工程学院 第5章 图像传感器 第5章 图像传感器 CCD自1970年问世以后，由于它的低噪声等特点，被广泛应用于广播电视、可视电话和传真、数码照相机、摄像机等方面，在自动检测和控制领域也显示出广阔的应用前景。 线阵CCD外形 面阵CCD外形 线阵CCD在扫描仪中的应用 线阵CCD用于字符识别 CCD用于图像记录 CCD数码摄像机 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 5.1.1 CCD的结构和工作原理 光敏元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2，再在SiO2层上依次沉积铝电极而构成MOS的电容式转移器。 CCD的工作过程分为三步：1）信号电荷的注入(光敏元阵列)；2）信号电荷的转移(转移栅)；3）信号电荷的读出(移位寄存器)。 1．MOS光敏单元 电荷耦合器件（Charge Couple Device—CCD）是按照一定规律排列的 MOS电容器阵列组成的移位寄存器 CCD的结构和物理基础 可以实现光电转换、信号储存、转移(传输)、输出、 处理以及电子快门等一系列功能。 金属 SiO2 p-Si VG 1200- 1500A 光敏元结构 P型Si衬底 SiO2绝缘层 金属电极 + 耗尽区(势阱) 光线 MOS(金属-氧化物-半导体)阵列 电子 光敏元阵列实现了光图像到电荷图的转换 电荷注入方法 （a） 背面光注入； （b） 电注入 1) 施加栅压的瞬间，半导体表面的空穴被排斥而形成耗尽区。 2) 达热平衡之前，MOS结构中是空的电子势阱。从表面一直到体内较深处（称深耗尽）。 3)如果用信号电子?QS注入势阱，势阱变浅；当表面势VS下降至两倍费米电势时，势阱“充满”，不再能吸纳信号电子。 光电转换原理 当向电极加正偏压时，在电场的作用下，电极下的P型硅区域里的空穴被赶尽，从而形成一个耗尽区，也就是说，对带负电的电子而言是一个势能很低的区域，这部分称为“势阱”。如果此时有光线入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导体硅片上就产生了光生电子和空穴，光生电子就被附近的势阱所吸收(或称为“俘获”)，而同时产生的空穴则被电场排斥出耗尽区。此时势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。人们也称这样的一个MOS