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学无止境 南京新华日液晶显示技术有限公司 NEW HWUARY TFT工艺设计培训 认识TFT TFT元件的运作原理 TFT元件的运作原理 存储电容 TFT特性 Array 面板信号传输说明 TFT-LCD面板构造 Array 面板说明 单一像素结构 Array面板示意图（480*234） A-Si TFT的设计 A-Si TFT器件的设计 TFT阵列单元像素设计 TFT阵列设计 阵列基板的布局和配线 A-Si TFT器件的设计（1） a-Si TFT是TFT-LCD显示屏阵列电路中最重要的部分，其器件性能的优劣将直接影响到a-Si TFT-LCD图象质量。因此，a-Si TFT器件结构参数的合理设计以及材料参数的优化选择是a-Si TFT-LCD优化设计的基础。a-Si TFT-LCD要求作为有源开关的TFT器件具有较高的开关比，即较高的开态电流和相对低的关态电流。从对a-Si TFT器件模拟的结果可知，选择合适的TFT器件宽长比W/L，适当减小绝缘层的厚度，优化制备工艺条件以改善a-Si材料性能及a-Si/SiNx界面特性，有利于提高开态电流。另外，减小有源层的厚度，制备具有较低暗态电导率的a-Si材料是降低关态电流的有效手段。 在a-Si TFT器件设计过程中，栅与源、漏电极交叠大小也是影响a-Si TFT-LCD图象显示品质的一个重要参数。寄生电容Cgd会引起加在液晶象素上的信号电压变化，从而造成显示图象的闪烁现象及显示灰度级的错乱。另外，a-Si TFT器件各层薄膜厚度的设计是影响a-Si TFT-LCD 阵列成品率的关键因素，过厚或过薄的膜厚都将引起电极之间的短路或断路缺陷。 TFT阵列单元像素设计 a-Si TFT-LCD单元象素主要包括a-Si TFT器件、象素电极、存储电容和栅电极及源电极的引线等几个部分。 在对a-Si TFT器件优化设计的基础上，阵列单元象素的设计主要集中在对存贮电容结构和大小的设计、栅线和信号线的结构设计以及单元象素各个部分的合理配合。引入存贮电容的目的是为了提高TFT-LCD信号电压的保持时间，避免引起闪烁现象，存贮电容的大小将影响到a-Si TFT-LCD的显示品质。同时由栅源交叠电容产生的跳变电压ΔVp的表达式可知，存贮电容的引入可减小跳变电压ΔVp，从而有效抑制由ΔVp引起的图象闪烁和残象现象。 TFT阵列设计 a-Si TFT-LCD的阵列设计是把经过优化设计的单元象素在行、列方向上分别重复M、N次，即可得到所需要的M×N象素数的TFT矩阵。需要注意的是Delta排列时情况较为复杂，需要根据具体驱动要求进行单元设计。另外，黑矩阵的设计将对a-Si TFT-LCD的亮度产生严重影响。黑矩阵设计主要包括黑矩阵方式和大小的设计，以及黑矩阵材料的选取。黑矩阵方式的选择和大小的设计关系到TFT-LCD开口率的大小，是提高TFT-LCD开口率和亮度的着手点之一，而黑矩阵材料的选取则是改善TFT-LCD对比度的关键。 像素的Delta排列 阵列基板的布局和配线 配线主要分两部分： a． 阵列中Source线与Gate线引出点至IC输出端子的走线 要求是调整线宽使每条走线的电阻相同，以使电路的延时相同。 b． FPC端子至IC输入端子的走线 目标是减少延时，可以把线宽做的较大。不特别要求电阻相同。注意电源线、地线都应该做的较宽，电压差较大的走线之间要增大间距，以减少电蚀现象的发生。 Gate金属设计规则 Gate金属设计规则 Si岛的规则 Si岛的规则 接触孔设计规则 ＴＦＴ制作工艺技术 成膜技术 光刻技术 刻蚀技术 　 成膜技术 1、真空技术 2、等离子体技术 3、化学气相沉积技术 4、溅射成膜 真空技术 真空术语 （１） 真空的定义 （２） 真空度 （３） 真空单位：1Torr=1/760atm=1mmHg 1Torr=133.322Pa or 1Pa=7.5*10-3Torr （４） 极限真空度 真空技术 真空测量 (1)热电偶真空计 (2)电离真空计 (3)其它真空计 等离子基础知识 等离子的主要特性 (1)是一种导电流体，但能维持中性； (2)此聚集态物质间存在库仑力，其运动行为受到电场的影响和支配 化学气相沉积技术（CVD） 什么是CVD? CVD：Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积) 在一定的温度下，利用化学反应方式,将反应物(混合气体)生成固态产物,并沉积在基体表面以形成涂层和薄膜的一种沉积技术。 影响CVD成膜的关键因素 1、反应系 2、气体组成 3、温度 4、压强 5、R