LALT02GTSRLT08GTMNOLT3GT薄膜的制备及其BOLOMETER应用研究.pdf

摘要 利用超巨磁电阻(CMR)材料制作在室温下工作的高性能测辐射热仪是国际 上CMR应用研究的一个重要方向，而能否制备具有室温Tc转变点的薄膜材料是 其中的一个决定因素。本论文的主要工作就是利用脉冲激光沉积+CMR薄膜。通 过调整制膜工艺参数改善薄膜性质，最终制作测辐射热仪敏感元件。考虑到各种 CMR薄膜的Tc转变点不同，因而用于测辐射热仪时工作温度不同的要求，自行 设计了半导体恒温制冷控制电路，实现了超巨磁电阻材料薄膜作为温度敏感元件 功能。 Lao8Sro 2Mn03薄膜结构完整，无其他杂相，基本为外延生长。通过四线法测量其 为测辐射热仪的辐射敏感元件，其性能有可能优于现有在室温下工作的VO。和Ⅱ 下工作的超巨磁阻测辐射热仪的设计。 由于CMR材料在Tp附近电阻与温度成很好的线性关系，其电阻值随温度的 改变而发生显著变化，它可以将热(温度)直接转换为电薰。把自行研制的超巨 磁电阻材料Lao．sSr02Mn03薄膜作为一性能优异的热敏电阻，设计了一自动恒温 控制电路，采用半导体制冷器作为冷热源，成功实现了控温的功能。温控灵敏度 与精度均比传统的机械式控温仪的要高。一般温控弛豫时间为5～30s、控温精度 约为±O．5℃，而数显仪的温控弛豫时间为1～2min、精度为±1℃。并测量了在 温控范围内薄膜电阻与温度的对应值，与R．T测量系统测出的R．T曲线相比较后， 对其温度进行了标定及误差分析。 利用上述电路将温度控制在Lao．8Sro2Mn03薄膜最佳工作温度点附近，使用 He—Ne激光辐射源，器件对信号具有灵敏的响应。在单元器件的基础上，我们将 Lao8Sro2Mn03薄膜光刻成15元的焦平面阵列，用现有的办法还没有测量到信号。 最后对其结果进行了分析，并对器件性能进一步改进途径作出了探讨。 关键词：超巨磁电阻；测辐射热仪；Lao8Sr0．2Mn03；自动恒温控制；焦平面 阵列 U Abstract Itisan directionof important thecolossal intheworldtoutilize study CMRmaterialsassensorofabolometerwith high atthe performance roorn the ofthedecisive working temperature．Instudy，one factorsisto thinfilm the materialswiththemetal-insulator transition prepare point around room workofthis isto (Te)at temperature．Mostpart paperutilizelaser pulse tO CMRthinfilms．The ofthefilmare deposit properties improved throughadjusting and film thenthe element