SOLGEL法MG掺杂PST薄膜的制备与介电性能研究.pdfVIP

摘要 微波可调介电材料在微波可调元器件上有着』。阔的应用背景，如相控阵天 线上的移相器，谐振器，滤波器等。就研究体系而言，目前主要集中在钙钛矿棚 铁电材料，如钛酸锶钡(BST)及其掺杂系列。最近Cross等发现钛酸锯铅(PST) 陶瓷具有较高可调性和相当低的介电损耗，是+种非常适用于电场调节元件的材 料。与BST相比，特别作为薄膜材料，PST的铁电临界尺、J’较小，晶化温度较 低，制备工艺与Si微电子工艺兼容，更能够满足高性能的si基集成电路的需要， 对推动现代器件发展的小型化和集成化具有十分重要的意义。目前幽内外对于 PST薄膜材料的研究刚刚起步，对其的掺杂改性研究还不多。近年来的研究发现， Mg是非常有效的掺杂剂之一，但对于其影响机制，目前还不是很清楚，所以还 需要对Mg离子掺杂改性进jj多方面的研究。 本文全面综述了微波可调铁电薄膜材料的研究发展，总结了溶胶凝胶技术在 制备此类材料中的应用，简要介绍了铁电材料微波可调的基本原理及其应用。 本文采用溶胶凝胶镀膜技术，通过微量Mg离子掺杂同时改进热处理工艺等 手段，在ITO基板上成功制备了多晶立方钙钛矿相Pbo4sr06Mg。TiI．、O¨(以下称 PST)薄膜。发现利用溶胶凝胶法制备的PST薄膜的晶相形成和品相含量受热处 理条件和Mg的掺杂量所控制。在一定的掺杂范围内，由掺杂引起的品格畸变较 小时，体系掺Mg平衡了晶体内本征氧空位引入的电荷不平衡，使品相更为稳定， 析晶能力提高，晶相含量随掺杂浓度的增大而提高。掺杂量偏离缺陷补偿平衡点 时，Mg掺杂引入额外的氧空位，晶格畸变增大使得形成的品相不稳定，析晶能 力下降，最终使晶相含量下降。 Mg的掺入还影响到析晶与热处理过程之阳j的关系。在高Mg掺量范围，Mg 含量越高，形成的晶相越不稳定，热处理时间越长，使热处理过程中分解的品相 量越多，随Mg掺量越高和热处理时间越长，薄膜中晶相含量越低。 发现在相同条件下制备的PST薄膜中，Mg掺杂在X约为O．03时，体系内 的电荷补偿达到平衡，晶相相对较完整，体系品相含量和介电常数相对达最大。 这时那些在低频下有条件建立的极化子，其建立极化时所需克服的势垒较大，在 相对较低频率下就出现弛豫和不再跟随外场变化。当Mg掺量高于x=0．03时， V 体系中的Mg离子反而引入了额外的氧空位缺陷，不利于晶相形成，钙钛矿相含 量减小，介电常数相对降低。同时，相对较不完整的品棚结构，使弛豫出现在较 高频率下。 发现热处理温度对PST薄膜的介电性能有两种相对的影响作用，薄膜的介 电电容值随着烧结温度的增加出现一个极大值。在较低的温度时，烧结温度的升 高，晶体含量增加，有利于薄膜介电电容值增大的作用占据优势。当温度达到一 定值时，由温度升高产生的氧空位缺陷，丌始超过晶体含量增加对介电电容值的 影响占据主导地位，介电电容值丌始降低。 高Mg掺杂量PST薄膜介电电容值在相对低的烧结温度出现极大值。高Mg 掺杂量相对引入了较多的氧空位，在相对低温下即对PST薄膜的介电电容值的 减小作用，较晶体含量对介电电容值的增大作用占土导地位，介电电容值在较低 的温度出现极大值。 Mg掺杂PST薄膜的可调性随测试频率的变化而不同，在测量范围内，频率 压下的损耗因子为O．5。综合考虑呵调性和损耗得到薄膜的优值K在101数量级。 关键词： 钛酸锶铅， Mg掺杂，薄膜， 介电性能 s01．gel， V 浙江入学倾f．学位论文 Abstract Themicrowavetunableferroelectric materialshavebeen in widelyappliedmany fields inmicrowavetunable as shifterin especially