IC设计概述.ppt

IC设计概述 主要内容 IC发展和国内外情况介绍； IC设计简介； IC发展和国内外情况介绍 2、Moore’s Law and Future IC echnologies 3、工艺特征尺寸 4、单个芯片上的晶体管数 5、芯片面积 6、电源电压 7、金属布线层数 8、时钟频率 IC设计简介 一、IC的分类： 按电路规模分： SSI、MSI、LSI、VLSI 按电路用途分： 通用IC和专用IC（ASIC，Applications Specific Integrated Circuit) 按电路性能分： 数字ASIC和模拟ASIC 按制造方法分： 全定制ASIC（Full-custom ASIC ）、 半定制ASIC（Semi-custom ASIC ）、 可编程ASIC（Programmable ASIC） 谢谢！ * * joyhj 1、集成电路工艺的发展的特点和规律； 2、IC发展方向与我国IC的发展情况； 九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从亚微米(0.5到1微米)进入到深亚微米(小于0.5微米)，进而进入到超深亚微米(小于0.25微米)。其主要特点： 特征尺寸越来越小 芯片尺寸越来越大 单片上的晶体管数越来越多 时钟速度越来越快 电源电压越来越低 布线层数越来越多 I/O引线越来越多 一、集成电路工艺的发展特点和规律 年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 最小线宽 0.25 0.18 0.15 0.13 0.10 0.07 0.01 (μm） DRAM容量 256M 1G 1G~4G 4G 16G 64G 256G 每片晶体管数 11 21 40 76 200 520 1400 （M） 芯片尺寸 300 440 385 430 520 620 750 (平方毫米） 频率 (兆赫） 750 1200 1400 1600 2000 2500 3000 金属化层层数 6 6-7 7 7 7-8 8-9 9 最低供电电压 1.8-2.5 1.5-1.8 1.2-1.5 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6 （v） 最大晶圆直径 200 300 300 300 300 450 450 （mm） 1、发展规划代次的指标 Moore Law --- Min. transistor feature size decreases by 0.7X every three years --- True for at least 30 years! (first published in 1965) 1997 National Technology Roadmap for Semiconductors 1、集成电路发展的方向 1）在发展微细加工技术的基础上，开发超高速、超高集成度的电路。 2）迅速、全面地利用已达到的或已成熟的工艺技术、设计技术、封装技术、和测试技术等发展各种专用集成电路（ASIC）。 二、 IC发展方向与我国IC的发展情况 从另一个角度来说，进入90年代以来，电子信息类产品的