用于微执行器的pzt压电薄膜制备与表征-微机电工程专业论文.docx

大连理工大学硕士学位论文摘要本文采用溶胶凝胶法制备PZT压电薄膜，并对其晶向结构，表面形貌，介电性能进行表征。分析了退火温度、溶胶凝胶体铅含量与退火时间对钙钛矿结构形成的影响。XRD与SEM测试结果表明，旋涂铅过量30％的PZT溶胶凝胶于5500C中退火10min后，只有很小一部分焦绿石相开始转化为疏松钙钛矿结构；于6000C或者更高温度退火10min后薄膜得到完全钙钛矿结构；在退火温度大于6000C时，溶胶凝胶体中铅量过量20％可消除焦绿石相；在铅含量充足的条件下，如果退火处理时间不足也无法完全得到钙钛矿结构。退火温度越高，晶粒越大，而晶界数量减少。不同的热处理工艺制备PZT薄膜需要考虑不同的退火温度与退火时间。研究了PZT薄膜晶向生长的影响因素，包括热分解有机物温度、热分解膜厚度与下电极热处理条件。(100)取向度较高的PZT薄膜通过改变热分解膜的厚度得到。介电性能测试发现(100)取向度较高的PZT薄膜介电性能要优越多晶PZT薄膜。在第三章的最后提出(100)取向的柱状结构与晶向杂乱结构的生长模型。在本文第四章，采用溶胶凝胶法制备掺杂镱、锰、锶金属离子的PYZT、PMZT、PSZT薄膜，表征其晶向结构，极化性能与介电性能。XRD测试结果表明，掺杂镱0．01tool的薄膜XRD衍射角大小变化较大：相比较于未经掺杂的薄膜晶向，掺杂锰和掺杂锶的薄膜晶向变得杂乱；掺杂镱0．01mol，0．02mol与0．03mol的薄膜介电性能测试结果表明：在LCR驱动频率为0．OllkHz时，掺杂0．01tool后薄膜介电常数提高18．9％；而随着掺杂镱量增加为O．02mol和0．03mol后，薄膜介电常数开始下降：掺杂镱薄膜的P．E曲线表明薄膜的极化性能随着掺杂量的增加而降低；掺杂0．01mol锰的薄膜介电性能与P．E曲线测试结果显示：在LCR驱动频率为O．01lkHz时，掺杂0．01mol后薄膜介电常数提高31％，并且其介电损耗增加；而剩余极化强度与矫顽场强有所下降；掺杂O．02mol锶的薄膜介电性能与P．E曲线测试结果显示：在LCR驱动频率为0．01IkHz时，掺杂0．02mol锶后薄膜介电常数提高12．8％，并且介电损耗增加；剩余极化强度与矫顽场强有所下降；最后制作了PZT薄膜压电微执行器，利用多普勒激光测振仪测试薄膜的变形幅度。对比多晶PZT压电薄膜微执行器发现，(100)方向的PZT薄膜振动幅度更大，而且抗击穿性能更为优越。关键词：PZT压电薄膜；溶胶凝胶法；表征；微执行器；晶向生长万方数据用于微执行器的PZT压电薄膜制备与表征FabricationandCharacterizationofPZT乙ThinFilmsllmSlorMicroactuatorsAbstractS01．gelmethodwasusedtofabricatePZTthinfilms．X．raydiffiactometry(XRD)．field—emissionscanningelectronmicroscope(SEM)andImpedanceintrumentwereusedtocharacterizetheorientation．microstructuresanddielectricpropertiesofthePZTthinfilms．SEMmeasurementrevealedthemorphologyofthePZTthin films．SEMresultsofPZTthinfilmspreparedbyPZTsol-gelwith30％excessPbshowthatlargescaleofpyrochlorephase existinthestructurewhenthinfilmWasannealedat5500C．XRDpattems revealedthatperovskitestructuresforminthetemperatureof6000C．Experimentresultsalso showthatcompletedperovskitestructuresWasobtainedinthePZTthinfilmspreparedbyPZTsol—gelwith20％excessofPbiftheannealingtimeWasenough．Thesizeofthegrainswereincreasedwiththeannealingtemperature．Inthethirdpartofthispaper，theeffectofheattreatmentprocesses，e．g．pyrolysistemperature，thicknessofthepyrolyticfilmsandPtelectrodeheattreat