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新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究-材料科学与工程专业论文
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新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究中文摘要
新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究
中文摘要
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新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗
环氧树脂基复合材料的研究 中文摘要
高介电常数(High-k)聚合物基复合材料作为电子、能量转换及存储材料等在众 多尖端领域具有巨大的应用前景,受到研究者的广泛和高度关注。基于渗流理论的导 体/聚合物基复合材料是制备 High-k 材料的重要类型。依据渗流理论,在渗流阈值(fc) 附近发生介电常数的急增,但是同时也往往出现高介电损耗。如何降低导体/聚合物 复合材料的介电损耗成为 High-k 材料研究的关键。大量研究证明,在导体的表面包 覆绝缘层可以有效降低介电损耗,但是因阻碍了导电网络的形成而往往需要添加高含 量的导体才能获得高介电常数。这不仅增加了复合材料的 fc,而且劣化了复合材料的 工艺性,甚至力学性能等其他性能。因此,研发一种兼具高介电常数、低介电损耗和 低 fc 的树脂基复合材料具有重大意义。本文围绕这个目标而展开研究。
从新型功能石墨烯的设计制备出发,以结构-性能为主线展开相关的研究。首先, 我们制备了具有微电容结构的新型功能体(TiO2@TiB2-rGO),通过化学法在石墨烯
(rGO)表面接枝具有核-壳杂化的功能体(TiO2@TiB2);而后在此基础上以环氧树 脂(EP)为基体制备了系列 TiO2@TiB2-0.75rGO/EP 复合材料。探讨了不同含量 TiO2@TiB2 包覆的 rGO 对 TiO2@TiB2-0.75rGO/EP 复合材料的电学和介电性能的影响。 研究结果表明,TiO2@TiB2-0.75rGO/EP 复合材料不仅具有低 fc(0.758wt%),而且具 有高介电常数和低介电损耗。当 TiO2@TiB2 与 rGO 的质量比为 0.1:1 时,相应的 3TiO2@TiB2-0.75rGO/EP 复合材料在 100Hz 下的介电常数和介电损耗分别为 77 和
0.55,各为相同 rGO 含量的 0.75rGO/EP 复合材料相应值的 1.14 和 5.8×10-2 倍。 TiO2@TiB2-0.75rGO/EP 复合材料具有高介电常数是因为复合材料中具有大量的微电 容结构,其中导体 TiB2 和 rGO 充当电极,而绝缘 TiO2 充当介质。随着微电容结构的 TiO2@TiB2-rGO 功能体在 EP 中含量的增多,复合材料中会形成更多的微电容,从而 有利于介电常数的提高。而低介电损耗的获得则是因为 TiO2@TiB2 隔绝了 rGO 的接
中文摘要 新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究
触,切断了漏导电流,从而减少了电导损耗。此外,对 TiO2@TiB2-rGO/EP 复合材料 的阻抗谱进行了电路模拟,深入探讨了具有微电容结构的 TiO2@TiB2-rGO 功能体对 其复合材料介电性能的影响。
其次,为了保持 rGO 优异的电学性能不遭到破坏,使得复合材料获得更高的介 电常数,我们通过静电和 π-π 共轭双重作用将聚苯胺(rPANI)包覆的碳纳米管(CNT) 负 载 于 石 墨 烯 ( rGO) 上 , 得 到 了 具 有 “三 明 治 ” 结 构 的 官 能化 新 型 杂 化 导 体
(rPANI@CNT-rGO)。在此基础上,固定 rGO 含量为 EP 质量的 0.75wt%,将具有不 同 rPANI 包覆 CNT(rPANI@CNT)负载量的 rPANI@CNT-rGO 与 EP 复合,制备了 系列 rPANI@CNT-0.75rGO/EP 复合材料。与此同时,作为比较,以 rPANI@CNT 和 rGO 为导体,通过物理共混方法制备了 rPANI@CNT/0.75rGO/E
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