金属磷属化合物纳米线的气相合成及其光电器件研究-物理电子学专业论文.docx

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集 体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中 以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保 留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本 人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索， 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□，在年解密后适用本授权书。不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日摘要本文采用化学气相沉积法成功制备了几种金属磷属化合物半导体纳米结构，如 Zn3As2、InP、Cd3P2 纳米线和珠状结构的 GaP 纳米线，并对其形貌和晶体结构等进行 表征分析；在此基础上，将所制备的纳米线成功地转移到被负载的基底表面，如硬质 的 SiO2/Si 基底和柔性的 PET 或 PDMS 基底，再结合传统的光刻等一系列微加工工艺 制备了单根纳米线器件和薄膜器件，如场效应晶体管、光电探测器等，并对其光学、 电学以及相关的机械性能，稳定性等进行了体统的研究分析。所取得的主要研究成果 可以归纳为如下：1. 首次采用化学气相沉积法制备了单晶结构的 Zn3As2 纳米线，纳米线的直径约 为 100~240 nm，其长度可达到几百微米；单根 Zn3As2 纳米线晶体管表现出典型的 p 型半导体特性，其迁移率高达 305.5 cm2 V-1 s-1，开关比达到~ 105。进一步，我们采用 接触印刷的方法，将所合成的 Zn3As2 纳米线转移并有序排列在硬质的 SiO2/Si 衬底和 柔性的 PET 衬底上，得到有序排列的纳米线薄膜，在此基础上，制备了基于有序排列 纳米线薄膜的场效应晶体管和光探测器器件。基于硬质的 SiO2/Si 衬底和柔性的 PET 衬底的薄膜光探测器均对可见光表现出了良好的光开关特性。同时，相对于单根纳米 线的器件，该种薄膜器件具有更小的光响应时间和更大的光生电流。此外，柔性的 Zn3As2 纳米线薄膜光探测器也展示出了快速的响应速度，重复光开关性和电学稳定 性；同时具有优越的机械柔性和抗弯折性。这些结果表明 Zn3As2 纳米线在下一代纳米 光电探测器领域具有广泛的应用。2. 采用化学气相沉积法制备了两种 III-V 族磷属半导体化合物纳米结构，InP 纳 米线和 GaP 纳米线。单根的 InP 纳米线晶体管展示出典型的 n 型半导体特性，其电子 迁移率达到 1.21 cm2 V-1 s-1。单根纳米线器件对可见光(633 nm)具有良好的光响应特 性，且对可见光(633 nm)具有较好的灵敏度，其灵敏度和外量子效率分别高达 779.14 A W-1 和 1.53×105 %。结合接触印刷的方法和传统的光刻等工艺，在硬质的 SiO2/Si 衬底 和柔性的 PET 衬底上制备了基于有序排列的 InP(或 GaP)纳米线薄膜光探测器。两种 排列的 InP 和 GaP 纳米线薄膜光电探测器对可见光均表现出良好的光响应特性；另外， 两种基于柔性基底的有序排列的 InP 和 GaP 纳米线薄膜光电探测器对可见光也都表现 出良好的光响应特性，优异的机械柔性，优良的抗弯折性能以及电学稳定性，但相对I于其硬质基底的器件，光探测性能有所降低，这是由于光伏材料与柔性衬底的接触不稳定有关。3. 采用化学气相沉积法在水平管式炉中首次制备了珠状结构的 GaP 纳米线，纳 米线中球状部分的直径为 100~400 nm，线状部分的直径大约为 150 nm，纳米线的长 度高达几百微米；单根珠状的 GaP 纳米线晶体管表现出典型的 p 型半导体特性，且其 阈值电压和开关比分别达到 3.4 V 和~ 102。此外，p 型的珠状 GaP 纳米线与 n 型的有 机物 PCBM 进行复合，在硬质的（SiO2/Si）衬底和柔性的（PET，PDMS 和普通的粘 胶带）衬底上制备 PCBM/GaP 纳米线的复合薄膜光探测器，结果显示，这几种复合薄 膜光探测器对可见光均表现出了良好的光响应特性。在相同的测试条件下，相比较于 纯的 GaP 纳米线薄膜和 PCBM 薄膜光探测器，这种复合器件的光响应特性有了显著 的提高。就硬质基底上的器件而言，复合后的器件表现出了快速的响应时间（43 ms） 和较大的开关比（~ 170）。同时，基于柔性 PET、PDMS 和普通的粘胶带表面衬底上 的 PCBM/珠状的 GaP 纳米