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第4章 二极管及其应用4
4.3 二极管整流电路及滤波电路 整流电路 * * 第4章 二极管及其应用 学习要点 了解半导体的特性和导电方式,理解PN结的单向导电特性,了解半导体二极管的结构,理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数 熟悉单相整流电路的组成 了解稳压电路 4.1 PN结和二极管 半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。 1 半导体的导电特征 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 ①外加正向电压(也叫正向偏置) 外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动大大超过漂移运动,N区电子不断扩散到P区,P区空穴不断扩散到N区,形成较大的正向电流,这时称PN结处于导通状态。 2.PN结的单向导电性 ②外加反向电压(也叫反向偏置) 外加电场与内电场方向相同,增强了内电场,多子扩散难以进行,少子在电场作用下形成反向电流,因为是少子漂移运动产生的,反向电流很小,这时称PN结处于截止状态。 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来,就构成了半导体二极管,简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小,结电容很小,多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大,结电容也小,多用在低频整流电路中。 1.2 二极管 1 半导体二极管的结构 (1)正向特性 外加正向电压较小时,外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力,PN结仍处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后,正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V,锗管约为0.2V。 外加反向电压时, PN结处于截止状态,反向电流 很小。 反向电压大于击穿电压时,反向电流急剧增加。 (2)反向特性 2 半导体二极管的伏安特性 (1)最大整流电流IOM:指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。 (2)反向击穿电压UB:指管子反向击穿时的电压值。 (3)最大反向工作电压UDRM:二极管运行时允许承受的最大反向电压(约为UB 的一半)。 (4)最大反向电流IRM:指管子未击穿时的反向电流,其值越小,则管子的单向导电性越好。 (5)最高工作频率fm:主要取决于PN结结电容的大小。 理想二极管:正向电阻为零,正向导通时为短路特性,正向压降忽略不计;反向电阻为无穷大,反向截止时为开路特性,反向漏电流忽略不计。 3 半导体二极管的主要参数 稳压管的主要参数: (1)稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 (2)稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 (3)动态电阻rZ。稳定工作范围内,管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即:rZ=ΔUZ/ΔIZ (4)额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是: PZ=UZIZM 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管,稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于:电流增量很大,只引起很小的电压变化。 4.2 特殊二极管 1稳压管 2 发光二极管 当发光二极管的PN结加上正向电压时,电子与空穴复合过程以光的形式放出能量。 不同材料制成的发光二极管会发出不同颜色的光。 发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低(1.5~3V)、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点,是一种很有用的半导体器件,常用于信号指示、数字和字符显示。 3 光电二极管 光电二极管的又称为光敏二极管,其工作原理恰好与发光二极管相反。当光线照射到光电二极管的PN结时,能激发更多的电子,使之产生更多的电子空穴对,从而提高了少数载流子的浓度。在PN结两端加反向电压时反向电流会增加,所产生反向电流的大小与光的照度成正比,所以光电二极管正常工作时所加的电压为反向电压。为使光线能照射到PN结上,在光电二极管的管壳上设有一个小的通光窗口。 直流稳压电源的组成: 利用具有单向导电性能的整流元件如二极管等,将交流电转换成单向脉动直流电的电路称为整流电路。整流电路按输入电源相数可分为单相整流电路和三相整流电路,按输出波形又可分为半波整流电路和全波整流电路。目前广泛使用的是桥式整流电路。 1.1 单相整流电路 * * * * *
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