微机械加工之光刻技术.pptVIP

* Micro-System 微系统加工制造技术(一) 刻划技术(Lithography) 一 刻划技术的内涵和历史(Lithography’s Origin) 二 光刻技术 (Photo-Lithography) -----光刻的基本要素：光刻胶、光刻膜版(Mask)、光刻机 -----甩胶和软加热(Spinning Resist and Soft Baking) -----曝光和曝后处理(Exposure and Post-Exposure Treatment) -----显影(Development) (双面爆光from p24) -----去除残留和硬加热 其它刻划技术 -----X-ray刻划 -----电子束和离子束刻划 -----探针扫描刻划 刻划技术的历史 现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。 刻划(Lithography)一词(希腊语Lithos指石头、Graph指写)起源于1796年Senefolder发明的工艺。他发现石头经过适当的浸墨和化学处理、可以用来往纸上复制图形，石头经过化学处理可以使其亲油或亲水，从而----。 以上是关于光刻图形转换和化学刻蚀法加工的最早的例子，当时的加工精度蚀0.5-1mm。 Niepce的发明100多年后，即第二次世界大战期间才第一应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。 返回 光刻工艺过程 最广泛应用的刻划方法是光刻(photolithography)，在半导体工业中几乎所有的从膜版到薄膜的图形转换都是用光刻方法实现的。一系列的经过编码的图形先后曝光可以制成复杂的多层IC。光刻技术成熟得很快，因而可以做出越来越小的图形。在IC工业中。为适应微加工需要，在高深-宽比光刻技术的研究也拓展了光刻的应用范围(型貌)。 光刻胶 主要成分有一种聚合物(树脂)、敏化剂和溶剂。聚合物在被辐照时结构变化，溶剂使其能被甩胶并在样品表面形成薄膜，敏化剂控制聚合相的化学反应。不含有敏化剂的光刻胶有时称为单元或一元体系，而含有敏化剂使则称为二元体系。溶剂或其它添加物通常不计入元数，因为它们不直接参与光刻胶的光化学反应。 对于正性光刻胶，胶曝光时发生的光化学反应通过切断聚合物主健或侧健使其弱化，曝光部分更容易在显影也中溶解。也就是说，被曝光部分的显影系数R比没曝光部分的显影系数R0大十倍以上。而对于负性光刻胶，光化学反应通过随机的健连接强化了聚合性，使其在显影液中的溶解性变低，应用不如正胶广泛。 正胶 两个典型的正胶系列是一元的PMMA(聚甲基丙烯酸甲脂）胶和二元的DQN胶。DQN由重氮醌酯(DQ: diazoquinone ester，20%到5%)和酚醛树脂（N: phenolic novolak resin)组成。 PMMA在深紫外光照时会断健，其最敏感波长为220nm，对240nm以上不敏感。PMMA树脂自身对深紫外(DUV)较差或较慢因而需要250mJ/cm2以上的曝光量。早期的DUV PMMA通常需要数十分钟的曝光时间。通过添加光敏化剂可以增加PMMA的UV光谱吸收率，已经使曝光量放宽到150mJ/cm2，PMMA也可以用于电子束、离子束和x-ray曝光。 而DQN体系是常用的近紫外二元系正胶 、Hydropholic novolak resin (N) 本身是熔于碱的，但是由于加入20-50%的DQ而变为不溶。该胶通过DQ的光化学作用重又变回可溶。Novolak resin只吸收波长300nm以下光，DQ添加物吸收400nm左右的光，因此汞灯的365nm、405nm和435nm谱线都可以用于DQN曝光。 (显影：大部分正胶都溶于强碱溶液，而可以用弱碱显影。一些典型工业用显影液是KOH(比如水溶液+表面活性剂)和TMAH。光致化学反应使得被曝光的胶变得显示出亲水性的区域和显示出疏水性的区域。表面活性剂或其它试剂使胶变得均匀亲水。显影液常常还会加入缓冲剂以使反