微机原理及应用培训8.ppt

74LS373 G 1Q～8Q E 1D～8D Q0～Q7 OE A0～A12 CE 2764（1） Q0～Q7 OE A0～A12 CE 2764（2） … … Q0～Q7 OE A0～A12 CE 2764（8） 74LS138 G1 VCC Y7 ┇ Y1 Y0 GND G2A G2B C B A P27 P26 P25 +5V 8031 P0 P2 ALE PSEN EA … D0～D7 A0～A12 A0～A7 上页 下页 回目录 ALE PSEN RD/WR P2 PCH输出 PCH输出 PCH输出 PCH输出 P0 指令输入 指令输入 指令输入 指令输入 PCL输出 PCL输出 PCL输出 PCL输出 PCL输出有效 PCL输出有效 PCL输出有效 图5-1外部程序存储器操作时序（a） 第一个机器周期 第二个机器周期 上页 下页 回目录 机械电子研究所 单片机原理及接口技术 第8章 存储器系统设计 8.1 MCS-51存储器系统配置 8.2 程序存储器扩展设计 8.3 数据存储器扩展设计 下页 概 述 存储器是计算机的主要组成部分，它使计算机 具有记忆功能。能将数据和程序存入计算机，使之 脱离人的干预自动工作。 70年代的存储器大多采用磁芯存储器，其速度 比CPU慢几个数量级。且体积大，成本高。无论是 体积上还是成本上，都是计算机的主要组成部分。 上页 下页 回目录 计算机工作者在存储器的速度、体积、成本和 容量上做了大量工作，解决了很多矛盾，成功地研 制出今天的半导体存储器。 上页 下页 回目录 单极性MOS存储器分类 双极性存储器有TTL、ECL MOS存储器按工作特点、作用以及制造工艺可分为： MOS存储器 RAM ROM 动态DRAM 静态SRAM Random Access Memory 掩膜ROM — Read Only Memory 现场可编程PROM — Programmable ROM 可擦可编程EPROM — Erasable PROM 电可擦可编程E2ROM — Electrically EPROM 闪速存储器 — Flash Memory AT89C51/52 AT89C1051/2051 易失 非易失 程序存储器 数据存储器 5.1 存储器系统配置 一、程序存储器 MCS-51最小系统 8051/8751内部有4KROM/EPROM 8052/8752内部有8KROM/EPROM MCS-51最大系统：可寻址64KB单元 容量不够时就要扩展片外程序存储器 上页 下页 回目录 二、数据存储器 MCS-51最小系统 MCS-51最大系统：可寻址64KB单元 容量不够时就要扩展片外数据存储器RAM（I/O） 51子系列内部只有128B RAM 52子系列内部只有256B RAM 上页 下页 回目录 系 统 的 扩 展 设 计: 存储器 I/O接口 三、MCS-51系统扩展功能 进行系统扩展时，单片机的引脚可构成三总线结构 1、片外三总线结构 上页 下页 回目录 ALE P3.1 P3.2 P3.3 P3.4 P3.5 P3.6 P3.7 P3.0 EA PSEN RST 8031 8051 8751 Vcc Vss P1口 P2口 P0口 373 G E +5V A0~A7 A8~A15 D0~D7 I/O XTAL1 XTAL2 RXD TXD INT0 INT1 T0 T1 WR RD 控 制 总 线 CB 数据总线 DB 地址总线 AB 上页 下页 回目录 CPU 微处理器 RAM I/O ROM CBUS DBUS ABUS CBUS ：控制总线 ，方向不确定 DBUS：数据总线，双向三态 ABUS ：地址总线，单向三态 利用三总线可方便的进行系 统 的 扩 展 设 计: …… ⑴ 地址总线AB（A0~A15）宽16位 片外寻址64KB ⑵ 数据总线DB（D0~D7）宽8位 ⑶ 控制总线CB 系统扩展用的控制总线有： PSEN EA ALE RESET RD WR 地址总线由P0口提供地址低8位。 地址总线由P2口提供地址高8位 P0口是地址/数据复用线，在地址有效时，ALE ↓锁存到片外地址锁存器保存; 数据总线由P0口提供，该口为三态双向口。 上页 下页 回目录 P0的驱动能力：驱动8个TTL门 P1 、P2、 P3的驱动能力：驱动4个TTL门 2、总线驱动能力 单向总线驱动器 74LS244 双向总线驱动器 74LS245 当应用系统规模过大，超过总线的驱动能力时， 系统不可能可靠工作，此时应加总线驱动器。 PSEN 片外取指（片外程序存储器读）信号输出端 ALE 地址锁存信号。 用↓锁存P0