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* 1-2-2 场效应半导体三极管 【学习目标】 1.了解结型场效应管的结构及特性。 【主要内容】 一.结型场效应管 二.绝缘栅型场效应管 三. 场效应管和三极管的比较 2.了解绝缘栅型场效应管的结构及特性。 1-2-2 场效应半导体三极管 场效应管(FET)是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，又称为单极型半导体三极管。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强、功耗小。 主要用于开关、阻抗匹配、大规模和超大规模集成电路中。 N型沟道场效应管 FET 场效应管 （结构） JFET 结型场效应管 MOSFET 绝缘栅型 FET 场效应管 (载流子) P型沟道场效应管 1-2-2 场效应半导体三极管 一.结型场效应管 1.结型场效应管的结构、符号和分类 栅极 漏极 源极 导电沟道 (a)立体结构示意图；(b)N沟道管；(c)P沟道管；(d)平面结构示意图 栅极的箭头方向是两个PN结正向导电方向 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1-2-2 场效应半导体三极管 1-2-2 场效应半导体三极管 二.绝缘栅型场效应管(MOS管) 特点：输入电阻很高，最高可达到1015欧姆。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 耗尽型是当uGS=0时，存在导电沟道，iD≠0. 增强型是当uGS = 0时，不存在导电沟道，iD=0 。 MOSFET 绝缘栅型 *