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开 关 电 源 一、开关电源的含义： 开关电源是开关稳压电源的简称，它是一种用脉宽调制 (PWM)驱动功率半导体器件作为开关元件，通过周期性通断 开关，控制开关元件的占空比来调整输出电压。它与线性稳压电源（AC-DC 电源）相比，其工作频率为 20 kHz-500KHz， 效率可达 65%-70%，而线性电源的效率只有 30％-40％，因而它比线性稳压电源更节能。 二、开关电源的发展历程及发展趋势： 上世纪 60 年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和 SCR 相控电源。40 多年来，开关电源技术有 了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。 第一个阶段是功率半导体器件从双极型器件(BPT、SCR、GT0)发展为 MOS 型器件(功率 MOS-FET、IGBT、IGCT 等)， 使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。 第二个阶段自 20 世纪 80 年代开始，高频化和软开关技术的研究开发，使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸 更小。高频化和软开关技术是过去 20 年国际电力电子界研究的热点之一。 第三个阶段从 20 世纪 90 年代中期开始，集成电力电子系统和集成电力电子模块(IPEM)技术开始发展，它是当今 国际电力电子界亟待解决的新问题之一。 开关电源的发展趋势：效率更高、体积更小、电磁污染更少、可靠性更高 三、开关电源的技术优点： 1、功率半导体器件性能：1998 年，Infineon 公司推出冷 MOS 管，它采用“超级结”(Super-Junction)结构，故 又称超结功率 MOSFET。工作电压 600~800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发 展前途的高频功率半导体器件。 IGBT 刚出现时，电压、电流额定值只有 600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于 1200~1700V，经过长时间的 探索研究和改进，现在 IGBT 的电压、电流额定值已分别达到 3300V／1200A 和 4500V／1800A，高压 IGBT 单片耐压已 达到 6500V，一般 IGBT 的工作频率上限为 20~40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的 IGBT，可工作于 150kHz(硬 开关)和 300kHz(软开关)。IGBT 的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构 形式的不同，IGBT 在 20 年的发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型 和电场截止(FS)型。 碳化硅(SiC)是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽、工作温度高(可达 600℃)、热稳定性好、通态 电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN 结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。 可以预见，碳化硅将是 21 世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。 2、开关电源功率密度：提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们不断追求的目标。这对便携式电 子设备(如移动电话，数字相机等)尤为重要，使开关电源小型化的具体办法有以下几种。 一是高频化。为了实现电源高功率密度，必须提高 PWM 变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。 二是应用压电变压器。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电 陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量，其等效电路如同一个串并联谐振电路，是 功率变换领域的研究热点之一。 三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的体积和重量，须设法改进电容器的性能，提高能量密度，并研究 开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器，要求电容量大、等效串联电阻(ESR)小、体积小等。 3、高频磁性元件：电源系统中应用大量磁元件，高频磁元件的材料、结构和性能都不同于工频磁元件，有许多问 题需要研究。对高频磁元件所用的磁性材料，要求其损耗小、散热性能好、磁性能优越。适用于兆赫级频率的磁性材 料为人们所关注，纳米结晶软磁材料也已开发应用。 4、软开关技术：高频化以后，为了提高开关电源的效率，必须开发和应用软开关技术。它是过去几十年国际电源 界的一个研究热点。PWM开关电源按硬开关模式工作(开／关过程中电压下降／上升和电流上升／下降波形有交