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* 离子镀膜技术 制作：18~25号 * 离子镀膜的概念 离子镀膜的原理 离子镀膜的特点 离子镀膜的类型 离子镀膜的应用 主要内容： * 离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基片上。 离子镀把气体的辉光放电、等离子体技术与真空蒸发镀膜技术结合在一起，不仅明显地提高了镀层的各种性能，而且大大地扩充了镀膜技术的应用范围。 离子镀膜的概念 * 离子镀膜的原理 离子镀膜系统典型结构 基片为阴极，蒸发源为阳极，建立一个低压气体放电的等离子区； 镀材被气化后，蒸发粒子进入等离子区被电离，形成离子，被电场加速后淀积到基片上成膜； 淀积和溅射同时进行； * * 实现离子镀膜的必要条件 1、 造成一个气体放电的空间； 2、 将镀料原子(金属原子或非金属原子)引进放电空间，使其部分离化。 离子镀膜的成膜条件 在膜材原子淀积过程的同时，还存在着正离子（Ａr＋或被电离的蒸发离子）对基片的溅射作用。显然，只有当淀积作用超过溅射剥离作用时，才能发生薄膜的淀积过程。 * 离子镀膜的优点 膜层附着性好；溅射清洗，伪扩散层形成 膜层密度高（与块体材料相同）；正离子轰击 绕射性能好； 可镀材料范围广泛； 有利于化合物膜层的形成； 淀积速率高，成膜速率快，可镀较厚的膜； 清洗工序简单、对环境无污染。 * 离子镀膜的缺点 薄膜中的缺陷密度较高，薄膜与基片的过渡区较宽，应用中受到限制（特别是电子器件和IC）。 由于高能粒子轰击，基片温度较高，有时不得不对基片进行冷却。 薄膜中含有气体量较高。 * 离子镀膜的类型 按薄膜材料气化方式分类： 按原子或分子电离和激活方式分类： 电阻加热、电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。 辉光放电型、电子束型、热电子型、电弧放电型、以及各种离子源。 * 直流二极型离子镀 直流二极型离子镀的特征是利用二极间的辉光放电产生离子、并由基板所加的负电压对其加速。 轰击离子能量大，引起基片温度升高，薄膜表面粗糙，质量差；工艺参数难于控制。 由于直流放电二极型离子镀设备简单，技术容易实现，用普通真空镀膜机就可以改装，因此也具有一定实用价值。特别是在附着力方面优于其它的离子镀方法。 * 三极和多阴极型离子镀（二极型改进） * （1）二阴极法中放电开始的气压为10-2Torr左右，而多阴极法为10-3Torr左右，可实现低气压下的离子镀膜。真空度比二级型离子镀的真空度大约高一个数量级。所以，镀膜质量好，光泽致密。 （2） 二极型离子镀膜技术中，随着阴极电压降低，放电起始气压变得更高；而在多阴极方式中，阴极电压在200V就能在10-3Torr左右开始放电。 特点： * （3）在多阴极方式中，即使气压保持不变，只改变作为热电子发射源的灯丝电流，放电电流就会发生很大的变化，因此可通过改变辅助阴极(多阴极)的灯丝电流来控制放电状态。 （4）由于主阴极(基板)上所加维持辉光放电的电压不高，而且多阴极灯丝处于基板四周，扩大了阴极区、改善了绕射性，减少了高能离子对工件的轰击作用，避免了直流二极型离子镀溅射严重、成膜粗糙、温升高而难以控制的弱点。 * 活性反应离子镀膜（ARE） 在离子镀膜基础上，若导入与金属蒸气起反应的气体，如O2、N2、C2H2 CH4等代替Ar或掺入Ar之中，并用各种不同的放电方式使金属蒸气和反应气体的分子、原子激活、离化、使其活化，促进其间的化学反应，在基片表面就可以获得化合物薄膜，这种方法称为活性反应离子镀法。 由于各种离子镀膜装置都可以改装成活性反应离子镀，因此，ARE的种类较多。 * 电子束热丝发射室 蒸发室 防止蒸发飞溅物进入电子枪工作室 拦截一次电子，减小对基片的轰击 * ARE的优点： （1）电离增加了反应物的活性，在温度较低的情况下就能获得附着性能良好的碳化物、氮化物薄膜。 采用CVD法要加热到1000℃左右，而ARE侧法只需把基片加热到500℃左右。 （2）可以在任何材料上制备薄膜，并可获得多种化合物薄膜。 （3）淀积速率高。 一般每分钟可达几个微米，最高可达50um。而且可以通过改变电子枪的功率、基片—蒸发源的距离、反应气体压力等实现对薄膜生长速率的有效控制。 * （4） 调节或改变蒸发速率及反应气体压力可以十分方便地制取不同配比、不同结构、不同性质的同类化合物。 （5）由于采用了大功率、高功率密度的电子束蒸发源，几乎可以蒸镀所有金属和化合物。 （6