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* 3.3 电子电导 3.3.2 载流子浓度 1 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构 对本征半导体： (3.66) N为等效状态密度 对应的电导率为： (3.87) 对应的电阻率为： 注意与温度的关系！ (3.66) 所以，温度越高载流子浓度越高，电导率也越高，这 是半导体与导体的一个区别。 电导率的对数与1/T成直线关系，如图3.21，根据直 线斜率就可得出禁带宽度Eg 2 杂质半导体中的载流子浓度 n型半导体 p型半导体 n型p型半导体的能带结构 ni是本征半导体在该温度下的自由电子或空穴的体积浓度，即固有载流子浓度。在杂质半导体中，一种载流子的浓度会升高，另一种载流子的浓度会降低.nn/n和pp/p表示多数载流子np和pn少数载流子。 不论是否掺入杂质原子，自由电子体积浓度n和自由空穴 体积浓度p的乘积是一个参数：np=ni2 对n型半导体：n=ND+p, np, n≈ND, pn≈ni2/ND 对p型半导体：p=NA+n, pn, p≈NA, np≈ni2/NA for n-type material: σ ≈ σn for p-type material: σ ≈ σp 3.3.5 影响电子电导的因素 只考虑温度对电导率的影响 晶格场中电子的迁移率： ?e=v/E=?e/m*（有效电子质量） 声子对迁移率的影响： 杂质离子对迁移率的影响： *
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