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半导体物理;第一章 半导体中的电子状态;研究方法;;;;;共 价 键;;;;;金刚石结构与闪锌矿结构的物理化学性质 解理面 ◆金刚石结构的解理面为｛111｝面 因为｛111｝ 面双厚子层与双原子层之间(A-A’间，B-B’间，C-C’间)键的面密度最低，面间距最长，相比最容易断开；如Si、Ge等元素半导体材料。;◆闪锌矿的解理面为｛110｝面 因为组成闪锌矿的双厚子层为不同的原子层(A’-B，B’-C，C’-A)，由于原子的电负性不同，电子云会偏向电负性大的那一层原子，这样分别由两种不同原子构成的面所形成的双原子层就成为了一个电偶极层，偶极层之间的库仑作用使得双原子层间(C’A-A’B、A’B-B’C、 B’C-C’A)的结合加强。 相比之下，每个｛110｝面都是 由等量的A、B原子组成，面与面间 没有附加的库仑作用，而且面间的 键面密度较小，所以相比之下，比 ｛111｝面更容易打开，因而成为解 理面； 如GaAs、InP等化合物半导 体材料。 ;化学腐蚀速度 对于金刚石结构，其化学腐蚀速度沿〈111〉、〈100〉、〈110〉依次变快，因为由｛111｝面双原子层与双原子层面间，｛100｝面间，｛110｝面间共价键密度由大变小，面间距由小变大；如Si、Ge 对于闪锌矿结构,｛111｝面的两端由不同原子构成，导致两端面性质不同，导致在此方向的两端面腐蚀速度不同。如GaAs，As面比Ga面更容易腐蚀；一般将电负性强的一面(As 面) 称为(ⅰⅰⅰ)面，电负性弱的一面(Ga面)称为(111)面;;◆氯化钠结构; ;;1.2.1 原子的能级和晶体的能带(1)孤立原子的能级;注意：各原子中相似壳层上的电子 才有相同的能量，电子只能在相似 壳层间转移。;;;;;导带EC:;;;K是波数，Kx是向x方向传播波的传导系数;他在博士论文(doctoral dissertation)中指出:;练习题：如果我们需要观测一个大小为2.5A的物体，可用的光子的最小能量是多少？若把光子改为电子呢？;;—— 倒易点阵的物理意义 —— ; 简约Brilouin区 ~ E(k)- k关系是周期性的函数: E(k) = E(k+n/a) 。 各个区的 E(k)都可移动n/a而合并到第一Brilouin区, 得到能量为k的多值 函数: En(k) . → 称这种取多值??第一Brilouin区为简约Brilouin区, 其中 的波矢称为简约波矢。 简约波矢 ~ ① 由于晶体体积的有限性, 边界条件即限制了k只能取分立的数值 → k起着晶体共有化电子的量子数的作用。 ;;;Electron States and Relating Bonds in Semiconductors;　一维单原子链的波矢 q 的取值; 结论: （1）当k=nπ/a （n= ±1，±2…)时，能量不连续，形成一系列相间的允带和禁带。允带的k值位于下列几个称为布里渊区的区域中: 第一布里渊区 -π/a k π/a 第二布里渊区 -2π/a k -π/a，π/a k2π/a 第三布里渊区 -3π/a k -2π/a ， 2π/a k 3π/a …… 第一布里渊区称为简约布里渊区，相应的波矢称为简约波矢. ;（2）E(k)=E(k+2πn/a)，即E(k)是k的周期性函数，周期为2π/a。因此在考虑能带结构时只需考虑－π/akπ/a的第一布里渊区就可以了。 推广到二维和三维情况： 二维晶体的第一布里渊区 －π/a(kx，ky)π/a 三维晶体的第一布里渊区 －π/a(kx，ky，kz)π/a （3）禁带出现在 k=nπ/a处，也就是在布里渊区的边界上 。 （4）每一个布里渊区对应一个能带。 ;能带中的量子态数 一个能带中有多少个能级呢？因一个布里渊区对应一个能带，只要知道一个布里渊区内有多少个允许的k值就可以了。 对一维晶格，利用循环边界条件 Ψk(L)=Ψk(0)， L=Na N是固体物理学原胞数，代入布洛赫波函数得到 K=2πn/Na=n/L (n=0，±1，±2…) 因此波矢k是量子化的，并且k在布里渊区内均匀分布 ，每个布里渊区有N个k值 。;推广到三维 ;;;;;(2)半导