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* 异质结与光电子器件 13 高速半导体器件 异质结与光电子器件 Theta 器件作为放大器， 1. VCB0 2.须提高基区输运系数，短LB,低掺杂，但Rb提高。 3.极电区势垒存在反射，须提高注入能量，即VBE, 但可产生? ? L谷散射。 4.发射区势垒薄，限制基区横向电阻的降低。 ??10 用于热电子谱计 非平衡载流子的输运研究 小系统弹道输运物理机制的实验研究。 高速半导体器件 异质结与光电子器件 高速半导体器件 异质结与光电子器件 14 高速半导体器件 异质结与光电子器件 15 其所测得的热电子能量分布如示例的Fig 3-2-8 高速半导体器件 主峰对应于到达极电区势垒的热电子不发射声子的情况，可得平均自由程l=1000? 异质结与光电子器件 16 三、Real-space transfer devices ：RSTD A.?????? 这是一种新的获得负的微分电阻NDR的结构，它可以在Fig 3-2-9所示的层状异质结结构中发现 三端RSTD的工作原理Fig 3-2-10 和能带图Fig 3-2-11 高速半导体器件 异质结与光电子器件 17 Fig 3-2-10.Illustration of the principle of three-terminal real-space transfer devices (after ref[63]).The channel serves as a cathode whose effective electron temperature Te is controlled by the source-to-rain field. The second conducting layer, separated by a potential barrier, serves as an anode and is biased positively. To the extent that the barrier lowering by the anode field can be neglected, the anode current as a function of the anode voltage exhibits quasi-saturation at a value determined by Te. 高速半导体器件 电荷注入晶体管 *
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