常用半导体器件PPT培训课件.ppt

输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 （1） 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const 3 三极管的特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const （2）输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 （1） 电流放大系数 4 三极管的主要参数 (a) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (b) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，直流放大系数和交流放大系数，可以不加区分。 (b) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO （2） 极间反向电流 ICEO (a) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (a) 集电极最大允许电流ICM (b) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE （3） 极限参数 (c) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO （3） 极限参数 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 利用电场效应来控制电流的半导体器件。 特点：控制端基本上不需要电流，受温度等外界条件影响小，便于集成。 四 场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 （a） 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ （1） JFET的结构和工作原理 1、结型场效应管 （b）工作原理 ① UGS对沟道的控制作用 当UGS＜0时，UDS=0 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压UGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? UGS继续减小，沟道继续变窄 ② UDS对沟道的控制作用 当UGS=0时， UDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当UDS增加到使UGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时UDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ? ID基本不变 （b）工作原理 （以N沟道JFET为例） （以N沟道JFET为例） ③ UGS和UDS同时作用时 导电沟道更容易夹断， 当VP UGS0 时， 对于同样的UDS ， ID的值比UGS=0时的值要小。 在预夹断处 UGD=UGS-UDS =VP ID和UDS的关系画成曲线如右图。 （b）工作原理 2010年杭州萧山房地产市场专题研究报告品管七大手法讲义教程桥梁工程识图讲义桥梁组成与结构课件确定性推理讲义 第二章 常用半导体器件 一 半导体基本知识 二 二极管 三 三极管 四 场效应管 1 半导体的晶体结构 硅和锗的晶体结构 单晶：纯净、没有杂质，排列有序。 一 半导体基本知识 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 2 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空