拉单晶的操作2.pptVIP

拉单晶硅的操作 单晶硅是用于制造太阳能和半导体电子元件的大多数工艺中的原材料，通常利用所谓直拉法制备单晶硅，我们公司主要是以直拉法制备太阳能产品的，下面简单介绍直拉法制备单晶硅的操作过程。 当籽晶与熔体接触时，由于温度梯度产生的热应力和表面张力作用，会使籽晶晶格产生大量位错，这些位错可利用引细晶（缩颈）来消除。 引细晶时加大籽晶的提升速度，使生长的晶体直径缩小一定大小（大约在3，6mm）。由于位错常常与生长轴成一个夹角，滑移面与生长轴之间成36左右。故只需要生长细晶足够的长，能使位错沿着滑移面延伸和产生滑移，使位错延伸、滑移至晶体表面而消失，从而长出无位错单晶体。 放肩 引晶的工艺中，当细晶生长到足够长度时，通过逐渐降低晶体的提升速度及温度，使晶体直径逐渐变大而达到工艺要求直径的目标值 转肩 在放肩后晶体直径达到工艺要求直径的目标时，在通过逐渐提高晶体的提升速度和温度的调整，使晶体进入等直径生长。 等经 在等经生长时，在保持晶体直径不变的同时，要注意保持单晶硅的无位错生长。有两个重要因数可能影响晶体的无位错生长；一是晶体硅径向的热应力;二是单晶炉内的细小颗粒。 在晶体生长时坩埚的边缘和坩埚的中央存在温度梯度，使得生长出的单晶硅的边缘和中央也存在温度差。一般而言，晶体硅离开固液界面后冷却时，晶体的边缘冷却的快，中心冷却的慢，也加剧了热应力