PowerMOSIGBTSCR器件结构、原理、参数介绍-1.pdfVIP

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  • 2018-05-08 发布于河南
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PowerMOSIGBTSCR器件结构、原理、参数介绍-1.pdf

PowerMOS

Power MOSIGBTSCR器件 结构、工作原理、参数介绍 技术部 XQ 2010-10 1 Power MOS定义及其优点 “MOSFET”是英文Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 的缩写,译成中 文是“金属氧化物半导体场效应晶体管”。它是由金属、氧化物及半导体三种材料制 成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安 到几十安) ,用于功率输出级的器件,是高频与大电流电力电子装置的核心器件。 双极型晶体管依靠少数载流子工作,少子的建立和消失需要一定时间,这限制了双 极型晶体管的开关速度和频率。Power MOS依靠多数载流子工作,无少子存储和复 合过程,具有开关速度快,频率高、输入阻抗高、驱动电路简单等优点。具有以下 特点:  电压控制型器件。输入阻抗高,驱动功率低,

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